[发明专利]固态摄像装置及其制作方法、摄像设备、半导体装置及其制作方法以及半导体衬底

权利要求书

1.一种固态摄像装置，包括：

半导体衬底主体，包括元件形成层和设置在所述元件形成层的上层上 的吸杂层；

设置在所述元件形成层中的光电转换元件，每个所述光电转换元件都 包括第一传导型区域；以及

电介质膜，其设置在所述吸杂层的上层上并且在所述吸杂层的表面中 感应出第二传导型区域。

2.根据权利要求1所述的固态摄像装置，

其中，所述电介质膜具有负的固定电荷。

3.根据权利要求2所述的固态摄像装置，

其中，所述电介质膜为至少部分结晶化的绝缘膜。

4.根据权利要求3所述的固态摄像装置，

其中，所述电介质膜为氧化物绝缘膜并且至少部分地结晶化，所述氧 化物绝缘膜包括从由铪、锆、铝、钽、钛、钇和镧系元素所组成的组中选 择的元素。

5.根据权利要求1所述的固态摄像装置，

其中，所述电介质膜具有抗反射膜的功能。

6.根据权利要求1所述的固态摄像装置，还包括：

主动元件，其将由所述光电转换元件光电转换的信号电荷转换为电信 号，并且输出所述电信号；以及

布线层，通过在所述元件形成层的与所述吸杂层相反的表面上进行层 压来设置所述布线层，并且所述布线层执行所述主动元件的布线。

7.根据权利要求6所述的固态摄像装置，还包括：

支持衬底层，其设置在所述布线层的与所述元件形成层相反的表面 上。

8.根据权利要求1到7中任一项所述的固态摄像装置，还包括：

微透镜，其设置在所述电介质膜的上层上并且聚集入射到所述光电转 换元件上的光。

9.一种制作固态摄像装置的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底主体的元件形成层中形成光电转换元件，每个所述光电 转换元件都包括第一导电型区域；

在所述元件形成层的上层上形成吸杂层；以及

在所述吸杂层的上层上形成电介质膜，用于在所述吸杂层的表面中感 应出第二导电型区域。

10.一种制作固态摄像装置的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底主体的元件形成层中形成光电转换元件，每个所述光电 转换元件都包括第一导电型区域，所述半导体衬底主体包括所述元件形成 层和形成在所述元件形成层的上层上的吸杂层；

在所述吸杂层的上层上形成电介质膜，用于在所述吸杂层的表面中感 应出第二导电型区域。

11.一种制作固态摄像装置的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底主体的元件形成层中形成光电转换元件，每个所述光电 转换元件都包括第一导电型区域；

在所述半导体衬底主体的所述元件形成层与薄膜形成移除层之间，形 成吸杂层；

通过使用所述吸杂层作为蚀刻停止部的蚀刻来移除所述薄膜形成移除 层；以及

在所述吸杂层的上层上形成电介质膜，用于在所述吸杂层的表面中感 应出第二导电型区域。

12.一种制作固态摄像装置的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底主体的元件形成层中形成光电转换元件，每个所述光电 转换元件都包括第一导电型区域，所述半导体衬底主体包括所述元件形成 层、形成在所述元件形成层的上层上的吸杂层以及形成在所述吸杂层的上 层上的薄膜形成移除层；

通过使用所述吸杂层作为蚀刻停止部的蚀刻来移除所述薄膜形成移除 层；以及

在所述吸杂层的上层上形成电介质膜，用于在所述吸杂层的表面中感 应出第二导电型区域。