[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管无效
| 申请号： | 201010107622.6 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101777583A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 陈远富;王泽高;郝昕;刘兴钊;李言荣 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/43 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 场效应 晶体管 | ||
1.一种石墨烯场效应晶体管，包括衬底栅电极(1)、下栅介质材料(2)、石墨烯(3)、源电极(5)和漏电极(6)，下栅介质材料(2)位于衬底栅电极(1)表面，石墨烯(3)位于下栅介质材料(2)表面，源电极(5)和漏电极(6)位于石墨烯(3)两端；其特征在于，该晶体管还包括上栅介质材料(4)，所述上栅介质材料(4)位于源电极(5)和漏电极(6)之间并覆盖石墨烯(3)表面；且所述上栅介质材料(4)是介电常数大于2的有机液体介质、介电常数大于2的有机固体介质、介电常数大于2的有机与无机复合材料或介电常数大于2的有机复合材料。
2.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述下栅介质材料(2)为二氧化硅，氮化硅，氧化铝或锆钛酸铅。
3.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述介电常数大于2的有机液体介质为N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、丙酮、乙醇、乙二醇、甘油、乙酸、甲酸、苯甲醛或乙酸乙酯。
4.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述介电常数大于2的有机固体介质为低聚合酞菁铜、邻苯二胺、四丁基溴化胺或萘类有机物。
5.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述介电常数大于2的有机与无机复合材料为锆钛酸铅/聚偏氟乙烯、钛酸钡/聚偏氟乙烯、铌镁酸铅-钛酸铅/聚偏氟乙烯、钛酸钡/环氧树脂或银/环氧树脂。
6.根据权利要求1所述的石墨烯场效应晶体管，其特征在于，所述介电常数大于2的有机复合材料为聚苯胺/环氧树脂、聚偏氟乙烯、P(VDF-TrFE)、P(VDF-TrFE-CTFE)、CuPc/P(VDF-TrFE)或聚酰亚胺。
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