[发明专利]AT切高基频复合压电水晶振动子无效
申请号: | 201010107649.5 | 申请日: | 2010-02-04 |
公开(公告)号: | CN101795121A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 彭常青 | 申请(专利权)人: | 孝昌县晶鑫电子科技有限公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17 |
代理公司: | 武汉金堂专利事务所 42212 | 代理人: | 胡清堂 |
地址: | 432900 湖北省孝*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | at 基频 复合 压电 水晶 振动 | ||
1.一种AT切高基频复合压电水晶振动子,包括:谐振晶片(1),谐振晶片(1)为经一般研磨的普通单片晶体振动子,其特征在于:还有支撑晶片(2),谐振晶片(1)和支撑晶片(2)之间以粘接剂相粘合为一个整体,支撑晶片(2)中心用超声波或激光开有镀膜孔(3)。
2.根据权利要求1所述的AT切高基频复合压电水晶振动子,其特征在于:支撑晶片(2)和谐振晶片(1)的材质相同。
3.根据权利要求1所述的AT切高基频复合压电水晶振动子,其特征在于:支撑晶片(2)和谐振晶片(1)的外轮廓一致。
4.根据权利要求1所述的AT切高基频复合压电水晶振动子,其特征在于:镀膜孔(3)的尺寸依据公式C0=ε/4Kπ×A/T0计算得出;
其中C0为晶片静电容,ε为水晶的介电常数,K为静电常数,π为圆周率,A为镀膜面积,T0为晶片厚度;
晶片厚度T0与基频频率F0的换算公式为F0=κ/T0,κ为压电常数。
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