[发明专利]一种横向双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种横向双极晶体管，包括发射极(1)、基极(2)和集电极(4)，其特征在于：发射极(1)和集电极(4)位于晶体管表面，基极(2)位于晶体管背面。

2.一种制作权利要求1所述横向双极晶体管的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)选择掺硼硅衬底；在该衬底上外延高阻p型硅外延层；

2)光刻形成集电区漂移区(13)注入窗口图形，注入P^-(10)；

3)注入推进：在950℃～1100℃的温度下，通N₂30～120分钟；

4)用LPCVD工艺在硅片表面淀积SiO₂(11)钝化层；

5)光刻形成基极(2)接地窗口图形，ICP刻SiO₂(11)+Si槽深10μm-20μm；

6)浓硼扩散：在980℃～1050℃的温度下，通N₂10分钟～30分钟；

7)用LPCVD工艺在硅片表面淀积1.5um-2.1um多晶硅；

8)用RIE回刻，使硅片表面平坦化，将表面SiO₂(11)腐蚀干净；

9)光刻形成基区(12)注入窗口图形，注入BF₂⁺，形成基区(12)；

10)用LPCVD工艺在硅片表面分别淀积SiO₂(11)和掺砷多晶硅(3)；

11)光刻漂移区(13)，刻蚀多晶硅、SiO₂(11)；

12)LPCVD掺砷多晶硅(3)薄膜，厚度为

13)垂直刻蚀多晶硅，

14)用LPCVD工艺在硅片表面淀积SiO₂(11)，形成发射极(1)：950℃～1000℃的温度下，通N₂10分钟-30分钟；

15)光刻并干法刻蚀SiO₂(11)形成发射极(1)和集电极(4)接触窗口；

16)溅射Ti/WN/Au；光刻电镀区，选择电镀金，镀层厚度1.2μm-2.5μm；反刻形成金属电极，即发射极(1)E和集电极(4)C；

17)采用平面磨床对硅片进行背面磨片，将硅片减薄到80μm-100μm；对硅片依次进行甲苯和丙酮清洗；蒸发Ti/Ni/Au形成下电极，即基极(2)。

3.根据权利要求2所述的一种横向双极晶体管的制作方法，其特征在于：掺硼硅衬底电阻率≤0.006Ω·cm。

4.根据权利要求2所述的一种横向双极晶体管的制作方法，其特征在于：高阻p型硅电阻率100Ω·cm～1000Ω·cm，外延层厚度5μm-20μm。

5.根据权利要求2所述的一种横向双极晶体管的制作方法，其特征在于：P^-(10)注入剂量为(2-4)×10¹²cm^-2，能量120KeV-160KeV。

6.根据权利要求2所述的一种横向双极晶体管的制作方法，其特征在于：硅片表面SiO₂(11)用氢氟酸干净。

7.根据权利要求2所述的一种横向双极晶体管的制作方法，其特征在于：BF₂⁺注入剂量为(4-6)×10¹³cm^-2，能量60KeV。