[发明专利]一种工艺件的去夹持装置和方法

权利要求书

1.一种用于在包括静电夹盘的处理系统中将工艺件从静电夹盘上去夹持的方法，其中，包括：

步骤a.提升升举装置使得所述升举装置接触于所述工艺件的底面，以施加第一升举力至所述工艺件；

步骤b.在所述工艺件底面与所述静电夹盘之间提供一气压，以向所述工艺件施加第二升举力；

其中，在一时间段T内，所述第一升举力和所述第二升举力同时作用于所述工艺件，所述第一升举力和所述第二升举力共同作用，将所述工艺件分离于所述静电夹盘。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述升举装置包括一个或多个升举顶针，其中，所述步骤a还包括如下步骤：

将一个或多个升举顶针提升至超过所述静电夹盘的上表面，以向上施加第一升举力至所述工艺件。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b还包括如下步骤：

-通过向朝向所述工艺件底面并设置于所述静电夹盘之中的喷气孔通入气体来在所述工艺件底面与所述静电夹盘之间提供一气压，以向所述工艺件施加向上的第二升举力。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一升举力和第二升举力的和大于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹盘的力F，小于或等于力F的1.5倍。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一升举力的取值范围为小于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹盘的力F。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二升举力的取值范围为小于或等于使所述工艺件刚好脱离所述静电夹盘的力F。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述时间段T的取值范围为1秒～30秒。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述升举装置包括一个或多个由导体材料或半导体材料制成的升举顶针，所述处理系统还包括一个开关装置，所述开关装置位于所述一个或多个升举顶针和接地端之间，所述步骤a还进一步地包括如下步骤：

a1.将所述一个或多个升举顶针提升至超过所述静电夹盘的上表面，以接触位于所述静电夹盘上的工艺件的底面，切换所述开关装置使得所述工艺件上的电荷通过所述一个或多个升举顶针接地进行放电；

a2.继续提升所述一个或多个升举顶针，以施加第一升举力至所述工艺件。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤a和步骤b之前还包括如下步骤：

步骤1.对所述工艺件上的电荷进行放电。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述步骤1还包括如下步骤：

-在处理系统内通入等离子体，使所述工艺件上的电荷与所述等离子体接触，使电荷通过所述等离子体被导入至处理系统的接地端，对所述工艺件上的电荷进行放电。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括如下步骤：

步骤A1.预先设定工艺件的升举高度；

步骤A2.检测工艺件是否已经到达所述升举高度，

-如工艺件已经到达所述升举高度，则停止向工艺件施加所述第一升举力和第二升举力。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行所述步骤a和b同时还包括如下步骤：

-持续在处理系统内通入等离子体，使所述工艺件上的电荷与所述等离子体接触，使电荷通过所述等离子体被导入至处理系统的接地端，对所述工艺件上的电荷进行放电。

13.一种用于在包括静电夹盘的处理系统中将工艺件从静电夹盘去夹持的去夹持装置，其中，包括：

升举装置，其可移动地设置于所述工艺件下方；

供气装置，其设置于所述工艺件的下方；

提升装置，其连接于升举装置，并提升所述升举装置使得所述升举装置接触于所述工艺件的底面，以施加第一升举力至所述工艺件；

气压控制装置，其连接于供气装置，并在所述工艺件底面与所述静电夹盘之间提供一气压，以向所述工艺件施加第二升举力；以及

控制装置，其连接并控制所述提升装置和所述气压控制装置，来控制所述第一升举力和所述第二升举力在时间段T内共同作用于所述工艺件，所述第一升举力和所述第二升举力共同作用将所述工艺件分离于所述静电夹盘。