[发明专利]稀土倍半氧化物纳米带及其制备方法无效
申请号: | 201010108050.3 | 申请日: | 2010-02-10 |
公开(公告)号: | CN101786595A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | 王进贤;董相廷;于长娟;刘桂霞;于文生 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | B82B1/00 | 分类号: | B82B1/00;B82B3/00 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稀土 氧化物 纳米 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种稀土倍半氧化物纳米带材料及其制备方法,属于无机纳米材料制备技术 领域。
背景技术
纳米带是一种用人工方法合成的呈带状结构的纳米材料,它的横截面是一个矩形结构。 由于其形貌的不同,显示出一系列特性,最突出的是比表面积大,从而其表面能和活性增大, 进而产生小尺寸效应、表面或界面效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应等,并因此表现 出一系列化学、物理(热、光、声、电、磁等)方面的特异性。然而,纳米带的制备方法是 这一领域需要解决的技术问题。
专利号为1975504的美国专利公开了一项有关静电纺丝方法(electrospinning)的技术方 案,该方法是制备连续的、具有宏观长度的微纳米纤维的一种有效方法。这一方法主要用来 制备高分子纳米纤维、无机氧化物纳米纤维和少量纳米带。有人利用静电纺丝技术成功制备 了高分子纳米带(Materials Letters,2007,61:2325-2328;Journal of Polymer Science:Part B: Polymer Physics,2001,39:2598-2606)、多孔SnO2纳米带(Nanotechnology,2007,18:435704: J.Am.Ceram.Soc.,2008,91(1):257-262)、Ga2O3纳米带(J.Crystal Growth,2007,308(1): 180-184)和TiO2纳米带(中国发明专利申请,申请号为:200810050948.2,专利名称为:一 种制备二氧化钛纳米带的方法)。
发明内容
在背景技术中采用静电纺丝技术制备的纳米带较窄、表面不光滑,构成纳米带的粒子直 径大,而且均为非稀土化合物。本发明使用静电纺丝技术制备了稀土倍半氧化物纳米带,为 稀土氧化物纳米材料添加了一个新品种。
本发明提供的稀土倍半氧化物纳米带,其特征在于,所述的稀土倍半氧化物纳米带为一 种纳米带结构,纳米带的厚度80~200nm,宽度2~6μm,长度大于150μm,纳米带由厚度为 70~120nm的稀土倍半氧化物纳米片构成。所述的稀土倍半氧化物纳米带的通式为R2O3:RE3+, 其中O为氧元素,R和RE为不同的稀土元素,R与RE的物质的量之比为R∶RE=(100~80)∶ (0~20),RE的掺入有两种方案,其一被称为单掺,即RE为一种稀土元素,其二被称为多 掺,即RE为两种或者两种以上稀土元素。当RE的量为零时,R为稀土元素La、Y、Nd、 Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的1个;当RE的量大于等于1时,R为La、 Y、Gd中的1个,RE为Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的1个或者1个 以上的混合物。
本发明是这样实现的,首先,配制纺丝液,将稀土化合物、高分子模板剂、溶剂按照某 一质量配比混合;其次,制备前驱体纳米带,采用静电纺丝技术通过控制纺丝电压、固化距 离、环境温度及湿度实现;第三,制备稀土倍半氧化物纳米带,采用热处理方法通过控制升 温速率、保温温度、保温时间实现。其特征在于:
一、纺丝液的配制
(一)将稀土化合物或稀土氧化物的酸溶物溶于溶剂中,搅拌得到稀土化合物溶液;
(二)向所述稀土化合物溶液中加入高分子模板剂,搅拌得到稀土化合物和高分子的混 合纺丝液,其配比(质量百分比)为:
稀土化合物 8~15%,
高分子 15~25%,
溶剂 60~77%;
二、稀土化合物/高分子模板剂前驱体纳米带的制备
采用静电纺丝方法,纺丝电压为10~25kV、固化距离为10~30cm,纺丝温度为15~26℃, 湿度为30~55%,得到稀土化合物/高分子前驱体纳米带;
三、稀土倍半氧化物纳米带的制备
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