[发明专利]太阳能电池制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

a)器件片制作

采用离子注入技术在单晶硅片中注入氢离子或氦离子或氢、氦两种离子， 或者在单晶硅片中通过电化学腐蚀法引入多孔硅，并在多孔硅上外延单晶硅；

b)支撑衬底制作

采用溅射或真空蒸发方法在玻璃或陶瓷或不锈钢或塑料衬底上沉积SiC、 SiO₂、Al₂O₃或Si₃N₄中的一种或两种薄膜作为介质层和隔离层，然后再镀上一层 铝薄层作为支撑衬底；

c)形成键合片

器件片和支撑衬底经清洗、干燥后在常温常压或真空或等离子辅助的室温 下键合；

d)退火处理

将键合片在300～1500℃温度下和氮气或氦气保护气氛下退火处理，键合片 从器件片的离子注入退火后形成的气泡层处或者多孔硅上外延单晶硅处裂开， 断裂下来的器件硅片经腐蚀抛光后按步骤a)反复使用；

e)形成“黑硅”

经上述退火处理后离子注入层或多孔硅对应的裂开处表面粗糙，形成天然的 “黑硅”；或者采用腐蚀或抛光除去离子注入层或残余多孔硅层，对键合片上的 剩余顶层硅采用化学机械抛光机抛光，并在SF₆反应气氛中进行表面处理形成 “黑硅”；

f)在顶层硅中掺入硼和磷形成p-n结；

g)得到太阳能电池

将步骤b)中的铝层作为背电极，采用丝网印刷、光刻、电子束蒸发、电子 镀方法制作前电极，得到太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于：注入离子是氢离 子，离子注入剂量在1×10¹⁴H⁺/cm²到1×10¹⁹H⁺/cm²间，离子注入能量在10KeV 到500KeV间。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于：键合后形成的顶 层硅厚度为1～100μm。