[发明专利]平板显示装置及其制造方法

说明书

本申请要求于2009年1月30日提交到韩国知识产权局的第 10-2009-0007385号韩国申请的权益，该申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

本发明的方面涉及一种平板显示装置及其制造方法，更具体地讲，本发 明的方面涉及一种具有改善的显示质量且可容易地制造的平板显示装置及其 制造方法。

背景技术

在基底上制造诸如有机发光二极管(OLED)装置、液晶显示(LCD) 装置和其他类似的显示装置的平板显示装置，其中，在基底上形成有包括薄 膜晶体管(TFT)、电容器以及连接TFT和电容器的布线的图案。

通常，利用其上印刷有精细结构图案的掩模将包括TFT、电容器或其他 相似元件的精细结构图案转移到阵列基底，从而可以对在其上制造平板显示 装置的基底进行图案化。

通常利用光刻方法来执行图案转移。根据光刻方法，光致抗蚀剂均匀地 涂在将形成有图案的基底上。通过利用诸如步进式光刻机(stepper)的光刻 设备对光致抗蚀剂进行曝光，且将感光的光致抗蚀剂显影(在正性光致抗蚀 剂的情况下)。另外，在光致抗蚀剂显影之后，剩余的光致抗蚀剂用作用于蚀 刻图案的掩模，并且去除未被使用的光致抗蚀剂。

在如上所述的利用掩模转移图案的工艺中，需要准备具有需要的图案的 掩模，因此，随着利用掩模执行的操作的增多，制造掩膜的成本增加。另外， 需要上述的复杂的操作来利用掩模转移图案。因此，整个制造工艺变得复杂， 并且制造操作所需的时间和成本增加。

发明内容

本发明的多个方面提供一种具有极好的显示质量且可使用掩模利用较少 的图案化操作而制造的平板显示装置及其制造方法。

根据本发明的一方面，提供了一种平板显示装置，该平板显示装置包括： 基底；薄膜晶体管(TFT)的有源层，包括沟道区、源区和漏区，其中，沟 道区、源区和漏区形成在基底上的同一层上；电容器的第一底电极和电容器 的第一顶电极，第一底电极与有源层分开，第一底电极与有源层形成在基底 的同一层上，第一底电极由与有源层的材料相同的材料形成，第一顶电极形 成在第一底电极上；第一绝缘层，形成在基底、有源层和第一顶电极上；栅 极底电极和栅极顶电极，顺序地形成在第一绝缘层的与沟道区对应的部分上； 电容器的第二底电极和第二顶电极，由与用于形成栅极底电极和栅极顶电极 的材料相同的材料形成，其中，第二底电极和第二顶电极顺序地形成在第一 绝缘层的与电容器的第一顶电极对应的部分上；像素底电极，由与用于形成 栅极底电极和电容器的第二底电极的材料相同的材料形成，像素底电极形成 在第一绝缘层上；像素顶电极，由与用于形成栅极顶电极和电容器的第二顶 电极的材料相同的材料形成，像素顶电极形成在像素底电极的顶表面的边缘 上以暴露像素底电极；第二绝缘层，形成在栅极顶电极、电容器的第二顶电 极和像素顶电极上，第二绝缘层被接触孔和通孔穿透，接触孔暴露有源层的 源区和漏区，通孔部分地暴露像素顶电极的边缘；源电极和漏电极，形成第 二绝缘层上，源电极和漏电极通过接触孔连接到源电极和漏电极并且通过通 孔连接到像素顶电极。