[发明专利]半导体芯片及其制造方法、堆叠模块和存储卡有效

专利信息
申请号: 201010108463.1 申请日: 2010-01-29
公开(公告)号: CN101937892A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 李镐珍;张东铉;李仁荣;尹玟升;黄善宽 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/482 分类号: H01L23/482;H01L25/00;H01L21/60;G11C7/10
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;薛义丹
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片 及其 制造 方法 堆叠 模块 存储
【说明书】:

本申请要求于2009年6月29日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0058315号韩国专利申请的优先权,该申请的公开通过引用被完全包含于此。

技术领域

本发明的总体构思涉及一种半导体装置,更具体地讲,涉及一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块、包括该半导体芯片的存储卡和包括该半导体芯片的电子系统。

背景技术

随着对具有高集成度的半导体芯片的需求的增长,半导体芯片的制造成本显著增加。因此,难以增加单个半导体芯片的容量。然而,可以通过堆叠半导体芯片形成的堆叠模块来实现容量的增加。在堆叠模块中,可以利用通孔电极(via electrode)来连接半导体芯片。

发明内容

本发明的总体构思提供了一种半导体芯片、制造该半导体芯片的方法、包括该半导体芯片的堆叠模块和存储卡。半导体芯片可以包括至少一个通孔,所述至少一个通孔包括在从基底的第一表面向着基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分。还可以提供填充所述至少一个通孔的至少一个通孔电极。

本发明总体构思的其它方面和用途将在下面的描述中部分地提到,并且部分地将通过描述而变得清楚,或者可以通过本发明总体构思的实践而获知。

通过提供一种半导体芯片可以实现本发明总体构思的前面和/或其它方面以及用途,所述半导体芯片包括:基底,包括第一表面和面对第一表面的第二表面;至少一个通孔,包括沿着从基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分;至少一个通孔电极,填充所述至少一个通孔。

所述至少一个通孔可以垂直于基底的第一表面和第二表面延伸。另外,所述至少一个通孔的第一部分可以具有齿形形状的内表面。

所述至少一个通孔电极可以包括分别与所述至少一个通孔的第一部分和第二部分对应的第一填充部分和第二填充部分,第一填充部分具有齿形形状的外周。

所述至少一个通孔电极还可以包括位于基底上并且连接到第一填充部分的突出部分。所述突出部分可以在基底的第一表面上突出。

所述半导体芯片还可以包括位于基底的第一表面上的绝缘层,其中,所述至少一个通孔还包括连接到第一部分并且延伸穿过绝缘层的第三部分。此外,所述至少一个通孔的第二部分和第三部分可以具有平滑的内表面,第一部分可以具有齿形形状的内表面。

所述半导体芯片还可以包括位于绝缘层上的至少一个电极焊盘,其中,所述至少一个通孔电极延伸穿过所述至少一个电极焊盘。所述至少一个通孔电极可以接触所述至少一个电极焊盘的顶表面。

分隔绝缘层可以位于基底和至少一个通孔电极之间。

所述至少一个通孔电极可以垂直穿过基底。

所述至少一个通孔电极可以从基底的第二表面突出。

通过提供一种堆叠模块可以实现本发明总体构思的前面和/其它方面以及用途,所述堆叠模块包括堆叠的多个半导体芯片,其中,每个半导体芯片包括:基底,包括第一表面和面对第一表面的第二表面;至少一个通孔,包括沿着从基底的第一表面向基底的第二表面的方向延伸的第一部分以及连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分;至少一个通孔电极,填充所述至少一个通孔,每个半导体芯片的所述至少一个通孔电极连接到相邻半导体芯片的至少一个通孔电极。

每个半导体芯片还可以包括设置在基底的第一表面上的至少一个电极焊盘,所述至少一个通孔电极可以延伸穿过所述至少一个电极焊盘。

每个半导体芯片还可以包括设置在所述至少一个通孔电极上的凸点层,每个半导体芯片的所述至少一个通孔电极可以延伸穿过位于所述半导体芯片下方的相邻半导体芯片的凸点层。

通过提供一种卡设备可以实现本发明总体构思的前面和/或其它方面以及用途,所述卡设备包括:壳;存储单元,位于壳中;控制器单元,位于壳中,并且被构造为控制存储单元,其中,所述存储单元包括:基底,包括第一表面和面对第一表面的第二表面;至少一个通孔,包括沿着从基底的第一表面向基底的第二表面延伸的第一部分和连接到第一部分并且具有锥形形状的第二部分,所述至少一个通孔随着与第一部分远离而变细;至少一个通孔电极,填充所述至少一个通孔。

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