[发明专利]一种光控碳化硅光电导开关

权利要求书

1.一种光控碳化硅(SiC)光电导开关，其特征在于，包括如下部件：

-光电导晶片，所述光电导晶片为碳化硅晶片，具有以下抛光良好的晶面，且其中各个面的偏角范围不超过10度：

至少一个(1100)m面；

至少两个(1120)a面；

其中(1100)m面或(1120)a面是与激发光源光学连接的朝光面，以及

-与所述(1120)a面或(1100)m面电学连接的电极，且

当所述(1100)m面作为朝光面时，所述电极与所述(1120)a面电学连接；

当所述(1120)a面作为朝光面时，所述电极与所述(1100)m面电学连接，此时所述光电导晶片具有至少一个1120a面，至少两个(1100)m面。

2.按权利要求1所述的光电导开关，其特征在于，所述碳化硅晶片为长方体片状结构。

3.按权利要求2所述的光电导开关，其特征在于，所述碳化硅晶片的长方体片状结构包括：

朝光面和背光面为(1100)m面、四个侧面分别为(1120)a面和(0001)c面，其中各个面的偏角范围不超过10度；

更优选地，所述碳化硅晶片为长方体状的方形薄片，厚度为0.1mm～5mm，也即所述(1120)a面和(0001)c面的高度为0.1mm～5mm。

4.按权利要求2所述的光电导开关，其特征在于，所述长方体片状结构包括：

朝光面为(1120)a面、四个侧面分别为(1100)m面和(0001)c面；背光面为(1100)m面，其中各个面的偏角范围不超过10度。

5.按权利要求2所述的光电导开关，其特征在于，所述长方体片状结构的长度l、宽度w、高度h的比例为：30～20∶10～2∶1。

6.按权利要求1所述的光电导开关，其特征在于，所述电极由单质金属和保护金属组成，所述单质金属选自Ta、Ti、W、Cr、Co、Zn、或Al，所述保护金属选自Al、Cu、Au或其组合。

7.按权利要求1所述的光电导开关，其特征在于，所述碳化硅晶片和电极之间沉积有半导体薄膜。

8.按权利要求1所述的光电导开关，其特征在于，所述激发光源选自紫外光(波长为200nm～380nm)、绿色光源(波长为520nm～550nm)或红色光源(波长为650nm～1100nm)。

9.按权利要求1所述的光电导开关，其特征在于碳化硅晶片选自4H或6H晶型的碳化硅晶片。

10.按权利要求1所述的光电导开关，其特征在于，所述开关的耐压值范围为10kV～50kV，峰值电流范围为100A～3000A。