[发明专利]第Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件

权利要求书

1.一种第III-V族化合物半导体器件，所述第III-V族化合物半导体器件包括：

基板；

沟道层，所述沟道层被安置在所述基板的上方；

阻挡层，所述阻挡层被安置在所述沟道层上以形成异质界面；

多个电极，所述多个电极被安置在所述阻挡层上；

绝缘体层，所述绝缘体层被安置成覆盖所述阻挡层的除所述电极的至少部分区域以外的整个上表面；

层叠在所述绝缘体层上的氢吸收层或其中氢吸收层与所述绝缘体层构成整体的整体层。

2.根据权利要求1所述的第III-V族化合物半导体器件，

其中所述沟道层和阻挡层中的每一个由第III-V族化合物半导体形成。

3.根据权利要求2所述的第III-V族化合物半导体器件，

其中所述沟道层和阻挡层中的每一个由第III族氮化物半导体形成。

4.根据权利要求1所述的第III-V族化合物半导体器件，

其中与所述绝缘体层中含有的金属元素相比，在所述氢吸收层中含有的金属元素具有更小的氢化物形成热。

5.根据权利要求1所述的第III-V族化合物半导体器件，

其中所述绝缘体层包含选自以下各项中的电介质：Si、Si₃N₄、SiO₂、TiO₂、ZrO₂、HfO₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、Al₂O₃、V₂O₅、Nb₂O₅、Ta₂O₅、AlON和ZnO。

6.根据权利要求1所述的第III-V族化合物半导体器件，

其中所述氢吸收层由含有金属元素的金属氧化物、金属氮化物和金属氟化物中的一种形成，所述金属元素选自Li、Na、Mg、K、Ca、Sc、Ti、Rb、Sr、Y、Zr、Cs、Ba、La、Hf、Ta、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho和Er。

7.根据权利要求1所述的第III-V族化合物半导体器件，

其中所述绝缘体层含有浓度为10¹⁸个/cm³以上的氢原子。

8.根据权利要求1所述的第III-V族化合物半导体器件，

其中所述氢吸收层具有1nm以上的厚度。