[发明专利]一种偏振发光二极管封装结构及出光方法无效
申请号: | 201010109710.X | 申请日: | 2010-02-04 |
公开(公告)号: | CN101807653A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 李杰民;李丰;黄伟;刘端 | 申请(专利权)人: | 苏州纳科显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215125 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 偏振 发光二极管 封装 结构 方法 | ||
1.一种偏振发光二极管封装结构,包括安装于绝缘基板上的至少1个LED芯片、黄色荧光粉层和封装壳体,其特征在于,还设有波长选择性薄膜和偏振膜,在所述LED芯片的出光面的外侧,所述波长选择性薄膜、黄色荧光粉层、选择性薄膜由内向外依次设置,并位于封装壳体内。
2.根据权利要求1所述的偏振发光二极管封装结构,其特征在于:所述波长选择性薄膜对蓝光波段的透射率为85%~100%,对黄光波段的反射率为85%~100%。
3.根据权利要求2所述的偏振发光二极管封装结构,其特征在于:所述波长选择性薄膜采用多层膜结构,通过蒸镀方式或以独立薄膜结构设置在LED芯片的出光面上方。
4.根据权利要求1所述的偏振发光二极管封装结构,其特征在于:所述偏振膜使s偏振态和p偏振态的其中一种偏振态的光出射,另一种偏振态的光反射。
5.根据权利要求4所述的偏振发光二极管封装结构,其特征在于:所述偏振膜采用纳米光栅结构或多层膜结构。
6.一种偏振发光二极管的出光方法,利用半导体禁带特性发光且发光区域位于蓝光波段的LED芯片实现,其特征在于:在出光途径上依次设置波长选择性薄膜、黄色荧光粉和偏振膜,LED芯片发出的蓝光透过波长选择性薄膜后,经黄色荧光粉作用出射白光,由偏振膜使一种偏振态的光线出射,另一种偏振态的光线被反射,反射的光线经黄色荧光粉的退偏作用重新成为非偏振光;该光线到达所述波长选择性薄膜的上表面处时会被反射,再次回到所述偏振膜的下表面处;该非偏振光中符合偏振膜出射条件的偏振光部分通过上述偏振膜出射,另一种偏振态的光线被再次反射,如此循环。
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