[发明专利]一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺，包括硅片表面预处理步骤、 反应离子刻蚀(RIE)步骤、刻蚀后的硅片表面残余物去除步骤，其特征在于， 对硅片表面进行预处理后，再在硅片表面制备纳米掩膜层，纳米掩膜层为硅纳 米球单分散层，然后将具有纳米掩膜层的硅片进行反应离子刻蚀(RIE)，采用 含有氟离子和氯离子的反应离子刻蚀系统SF₆和Cl₂，反应条件为，气体：50 -100sccm的SF₆和5-10sccm的Cl₂；功率：150-200W压力：4-10Pa；刻 蚀时间：5min-10min；最后将表面残余物去除后，在硅片表面形成绒面。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺，其特 征在于，在硅片表面制备硅纳米球单分散层具体做法为：采用醇盐水解法制备， 在乙醇-水-氨水体系中，以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源，通过改变体系各组分 的相对含量，得到不同粒径的二氧化硅纳米球；以二氧化硅纳米球做原料，采 用氢气还原技术得到硅纳米球，然后采用旋涂法将纳米球与硅片表面结合，在 硅片表面形成硅纳米球单分散层。

3.根据权利要求2所述的一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺，其特 征在于，所述的硅纳米球的粒径为200-800nm。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺，其特 征在于，硅片表面形成的绒面为具有蜂窝状形貌的绒面结构。