[发明专利]线路板的线路结构的制造方法有效
申请号: | 201010110151.4 | 申请日: | 2010-01-26 |
公开(公告)号: | CN102137546A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 江书圣;陈宗源;郑伟鸣 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H05K3/18 | 分类号: | H05K3/18 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 线路板 线路 结构 制造 方法 | ||
1.一种线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其包括以下步骤:
提供一基板,其包括一绝缘层以及一配置在该绝缘层上的膜层,该膜层具有一外表面;
在该外表面上形成一局部暴露该绝缘层的凹刻图案,其中该凹刻图案是移除部分该绝缘层与部分该膜层而形成;
在该外表面上以及在该凹刻图案内形成一活化层,其中该活化层全面性地覆盖该外表面以及该凹刻图案的所有表面;
移除该膜层以及该外表面上的活化层,并保留该凹刻图案内的活化层;以及
在移除该膜层以及该外表面上的活化层之后,利用一化学沉积方法,在该凹刻图案内形成一导电材料,其中该活化层参与该化学沉积方法的化学反应。
2.根据权利要求1所述的线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的化学沉积方法包括无电电镀。
3.根据权利要求1所述的线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的化学沉积方法为化学气相沉积。
4.根据权利要求1所述的线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其中形成该活化层的方法包括将该膜层与该绝缘层浸泡于在含有多个金属离子的离子溶液中。
5.根据权利要求1所述的线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的膜层为一金属层,而形成该基板的方法包括在该绝缘层上沉积该金属层。
6.根据权利要求1所述的线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其中形成该基板的方法包括:
压合一金属箔片在该绝缘层上;以及
在压合该金属箔片之后,减少该金属箔片的厚度。
7.根据权利要求1所述的线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其中形成该凹刻图案的方法包括对该基板进行激光烧蚀或等离子体蚀刻。
8.根据权利要求1所述的线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其中形成该凹刻图案的流程包括在该外表面上形成多条局部暴露该绝缘层的沟槽,而形成该导电材料的流程包括在该些沟槽内形成一图案化导电层。
9.根据权利要求1所述的线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的基板更包括一线路层,该线路层位在该膜层的相对位置上,该线路层的厚度大于该膜层的厚度,而该绝缘层覆盖该线路层。
10.根据权利要求9所述的线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其中所述的基板更包括一内层线路基板,该绝缘层与线路层皆配置在该内层线路基板上,且该线路层电性连接该内层线路基板。
11.根据权利要求9所述的线路板的线路结构的制造方法,其特征在于其中形成该凹刻图案的流程包括形成至少一局部暴露该线路层的盲孔而形成该导电材料的流程包括在该盲孔内形成一导电柱。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣兴电子股份有限公司,未经欣兴电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010110151.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。