[发明专利]形成互连结构的方法

权利要求书

1.一种形成互连结构的方法，包括步骤：

提供一前端器件层；

在所述前端器件层上形成一层刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上面形成介电层；

在所述介电层的表面形成氧化层；

在所述氧化层表面形成一层抗反射层；

在所述抗反射层的表面涂敷一层光刻胶层；

采用第一掩膜对所述光刻胶层进行第一次曝光；

采用第二掩膜对所述光刻胶层进行第二次曝光；

对所述光刻胶层进行显影工艺，形成具有图案的光刻胶层；

以所述具有图案的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射层、所述氧化层、所述介电层以及所述刻蚀阻挡层，形成通孔。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述抗反射层包括形成于所述氧化层表面的第一底部抗反射层、形成于所述第一底部抗反射层表面的低温氧化层以及形成于所述低温氧化层表面的第二底部抗反射层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一次曝光的区域的深度与所述光刻胶层的厚度一致，所述第二次曝光区域的深度小于所述第一次曝光区域的深度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二次曝光的区域的面积大于所述第一次曝光的区域的面积。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述第二底部抗反射层时所采用的气体CF₄，气体压强为100～200mtorr，放电功率为100～1000W，流速为10～300sccm，放电时间为10～60秒。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述低温氧化层所采用的是CF₄和CHF₃的混合气体，混合气体压强为100～200mtorr，其中，CF₄的流速为10～300sccm，CHF₃的流速为10～300sscm，放电功率为100～1000W，放电时间为10～60秒。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述第一底部抗反射层所采用的气体是CO₂和O₂的混合气体，混合气体压强为10～100mtorr，放电功率为100～1000W，放电时间为10～60秒，其中，CO₂的流速为50～500sccm，O₂的流速为0～50sccm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述氧化层的气体采用的是CF₄和CHF₃的混合气体，混合气体压强为100～200mtorr，放电功率为100～1000W，放电时间为10～60秒，其中CF₄的流速为10～300sccm，CHF₃的流速为10～300sscm。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述介电层采用的气体CF₄和Ar的混合气体，混合气体的压强为10～100mTorr，放电功率为100～1000W，放电时间为10～60秒，其中CF₄的流速为10～300sccm，Ar的流速为10～300sccm。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述阻挡层所采用的气体为CF₄和CHF₃的混合气体，混合气体压强为100～200mtorr，其中，CF₄的流速为10～300sccm，CHF₃的流速为10～300sscm，放电功率为100～1000W，放电时间为10～60秒。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电层的介电常数小于等于3.5。

12.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频电路。

13.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。