[发明专利]陶瓷基板及其制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷基板，包含：

一陶瓷主体；以及

一平坦缓冲层配置于该陶瓷主体之上，其中该陶瓷主体的热膨胀系数CTE_m与该平坦缓冲层的热膨胀系数CTE_p符合关系式(1)

|CTE_m-CTE_p|≤3×10^-6/℃  关系式(1)；

其中该陶瓷基板的翘曲度＜0.5％；

该陶瓷主体的软化温度不小于800℃

该平坦缓冲层的软化温度不小于500℃。

2.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中该陶瓷主体的热膨胀系数不大于10×10^-6/℃。

3.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中该平坦缓冲层的热膨胀系数不大于7×10^-6/℃。

4.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中该陶瓷基板的表面平均粗糙小于150nm。

5.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中该平坦缓冲层的厚度不大于200μm。

6.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中该陶瓷主体包含石墨、氮化硅、碳化硅、氧化硅、氧化铝、富铝红柱石、花岗石、大理石或其混合。

7.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中平坦缓冲层由以下成份组成：

30-95重量份的氧化硅；

1-40重量份的氧化铝；以及

2-35重量份的氧化硼、氧化磷及碱土族氧化物。

8.根据权利要求7所述的陶瓷基板，其中平坦缓冲层成份组成更包括：0.1-46重量份的二氧化锆、氧化锌、二氧化钛、氧化钇、氧化镧、氧化钨WO_x、氧化锡及二氧化锗，其中x为2或3。

9.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中该平坦缓冲层由以下成份组成：

30-75重量份的氧化硅；

5-40重量份的氧化铝；以及

0.1-35重量份的氧化硼、氧化磷及碱土族氧化物。

10.根据权利要求9所述的陶瓷基板，其中平坦缓冲层成份组成更包括：25-46重量份的二氧化锆、氧化锌、二氧化钛、氧化钇、氧化镧、氧化钨WO_x、氧化锡及二氧化锗，其中x为2或3。

11.根据权利要求9所述的陶瓷基板，其中该陶瓷基板的表面平均粗糙小于100nm。

12.根据权利要求9所述的陶瓷基板，其中该平坦缓冲层的厚度不大于150μm。

13.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中该平坦缓冲层由以下成份组成：

76-95重量份的氧化硅；

1-25重量份的氧化铝；以及

4-35重量份的氧化硼、氧化磷及碱土族氧化物。

14.根据权利要求13所述的陶瓷基板，其中平坦缓冲层成份组成更包括：0.1-40重量份的二氧化锆、氧化锌、二氧化钛、氧化钇、氧化镧、氧化钨WO_x、氧化锡及二氧化锗，其中x为2或3。

15.根据权利要求13所述的陶瓷基板，其中该陶瓷基板的表面平均粗糙小于100nm。

16.根据权利要求13所述的陶瓷基板，其中该平坦缓冲层的厚度不大于150μm。

17.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中该陶瓷基板应用于太阳能电池、发光二极管、IC封装、微机电、电子装置、或是薄膜晶体管。