[发明专利]光刻胶剥离液组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种光刻胶的去除技术，尤其涉及一种光刻胶剥离液组合物。

背景技术

在液晶显示装置以及半导体元件等的制造工艺中，通常采用光刻技术形成所需的图形。

以制造液晶显示装置的彩色滤光片为例，利用光刻胶进行刻蚀的过程主要包括：利用旋转涂布(spin coating)、狭缝涂布(slit coating)或狭缝与旋转涂布(slit&spin coating)等方法，在玻璃基板上均匀涂布一层光刻胶；干燥已涂布的光刻胶；使用掩模板对上述基板曝光；将已曝光的基板采用显影液对其进行显影处理，经过显影工序去除未感光部分的光刻胶，获得所需的图形；在烘箱内烘烤，从而完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂，并坚固光刻胶膜层。

上述利用旋转涂布、狭缝涂布或狭缝与旋转涂布等方法涂布光刻胶的过程中，因为采用任何一个工艺，都不可避免地将光刻胶涂布于基板边缘或背面，这些多余的光刻胺会造成设备污染，从而增加了清洗设备的生产成本，所以必须用光刻胶剥离液去除多余光刻胶。

现有的光刻胶剥离液一般包含有机胺类化合物、有机溶剂以及表面活性剂，其中，有机胺类化合物可以是二乙胺、乙二醇胺、异丙醇胺、链烷基醇胺或单乙醇胺等，有机溶剂可以是丙酮、环己酮、乙酸甲酯、乙二醇单甲醚或三乙二醇等，表面活性剂可以是丙烯酸共聚物等。

但是上述光刻胶剥离液，在浸泡清洗时，成份中的有机胺类化合物容易分解并呈碱性，因此容易腐蚀掉铝、铜等金属，并且由于其剥离性差，因此无法完全去除光刻胶残留物，当溶解光刻胶的时间越长，残留物渗透到要形成的图形层中的几率就越大，从而容易造成液晶显示器件或半导体元件等的不良，影响最终产品的质量。

发明内容

本发明提供一种光刻胶剥离液组合物，以提高对光刻胶的溶解性和剥离性，解决光刻胶的残留或渗透污染的问题。

为了实现上述目的，本发明提供一种光刻胶剥离液组合物，其中，所述光刻胶剥离液组合物由有机硅类化合物、丙烯酸酯类共聚物和有机溶剂组成。

所述有机硅类化合物的含量优选为所述光刻胶剥离液组合物总重量的0.0005～1％。

所述丙烯酸酯类共聚物含量优选为所述光刻胶剥离液组合物总重量的0.0001～1.5％。

所述丙烯酸酯类共聚物的含量优选为所述光刻胶剥离液组合物总重量的0.0001～1％。

所述有机硅类化合物优选为二苯基聚硅氧烷、甲基苯基聚硅氧烷、有机改性硅氧烷、聚醚硅氧烷共聚物或氟化硅氧烷。

所述有机溶剂优选包括多种成份，每种成份的含量为所述光刻胶剥离液组合物总重量的5％-97.5％。

所述有机溶剂优选包括丙二醇单甲基醚、丙二醇乙醚、丙二醇单甲基醚醋酸酯、甲基丙烯酸丁酯、环己烷、环己酮、丁基卡必醇、丙酸-3-乙醚乙酯、丁基卡必醇醋酸酯和伽马-丁内酯中的两种以上。

在一种优选光刻胶剥离液组合物中，所述有机硅类化合物的重量百分比为0.00075％，所述丙烯酸酯类共聚物的重量百分比为1％，所述有机溶剂为环己酮、甲基丙烯酸丁酯和丙二醇乙醚的混合物且每种成份的重量百分比为20％、20％和58.99925％。

在另一种优选光刻胶剥离液组合物中，所述有机硅类化合物的重量百分比为0.01％，所述丙烯酸酯类共聚物的重量百分比为0.75％，所述有机溶剂为环己酮、甲基丙烯酸丁酯和丙二醇乙醚的混合物且每种成份的重量百分比为5％、15％和79.24％。

在再一种优选光刻胶剥离液组合物中，所述有机硅类化合物的重量百分比为0.001％，所述丙烯酸酯类共聚物的重量百分比为0.75％，所述有机溶剂为环己酮和丙二醇乙醚的混合物且每种成份的重量百分比为15％和84.249％。

本发明的光刻胶剥离液组合物，作为表面活性剂加入了有机硅类化合物，作为应力均衡剂加入了丙烯酸酯类共聚物，因此提高了对光刻胶的溶解性和剥离性，解决了光刻胶的残留或渗透污染问题。

具体实施方式

本发明的光刻胶剥离液组合物由有机硅类化合物、丙烯酸酯类共聚物和有机溶剂组成。本发明的光刻胶剥离液组合物，作为表面活性剂加入了有机硅类化合物，作为应力均衡剂加入了丙烯酸酯类共聚物，并且加入了适当量的有机溶剂，可以降低光刻胶与基板的表面张力，提高光刻胶剥离液组合物对光刻胶的溶解性，使光刻胶更容易从基板表面剥离。