[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

像素区域，在所述像素区域中排列有多个由光电转换部和像素晶体管 构成的像素；

片上滤色器；

片上微透镜；

多层布线层，多层布线经由层间绝缘膜而形成在所述多层布线层中；

反射防止膜，所述反射防止膜被形成在排列了所述光电转换部的受光 面上，包括氧化硅膜和高折射率膜，所述高折射率膜被层叠在比所述氧化 硅膜更远离受光面的一侧，并且具有比该氧化硅膜的折射率高的折射率；

绝缘膜，所述绝缘膜被形成在所述反射防止膜上，由氧化硅膜形成； 以及

遮光膜，所述遮光膜被形成在所述绝缘膜的像素边界上，并且，所述 遮光膜被形成在与外围电路以及所述像素区域的光学黑色电平区域对应的 绝缘膜上；

其中，所述遮光膜被连接在半导体衬底的接地区域。

2.如权利要求1所述的固态成像装置，其中，

所述固态成像装置被构成为所述像素晶体管和所述多层布线层形成在 所述受光面的相反一侧的背照式固态成像装置。

3.如权利要求2所述的固态成像装置，其中，由反射防止膜和该反射 防止膜上的绝缘膜形成绝缘层。

4.如权利要求2所述的固态成像装置，其中，在所述片上滤色器与形 成有所述遮光膜的绝缘层之间具有平坦膜。

5.一种固态成像装置的制造方法，包括以下步骤：

在形成有多个由光电转换部和像素晶体管构成的像素的半导体衬底的 表面的上部，经由层间绝缘膜形成配置了多层布线的多层布线层；

在所述半导体衬底的被用作受光面的背面上形成反射防止膜，所述反 射防止膜包括氧化硅膜和高折射率膜，所述高折射率膜被层叠在比所述氧 化硅膜更远离受光面的一侧，并且具有比该氧化硅膜的折射率高的折射 率；

在所述反射防止膜上形成由氧化硅膜构成的绝缘膜；

在所述反射防止膜上的与像素边界对应的部分选择性地、以及在与外 围电路和所述像素区域的光学黑色电平区域对应的部分连续地形成遮光 膜，且所述遮光膜被连接在半导体衬底的接地区域；

在包括所述遮光膜的所述反射防止膜上形成平坦膜；以及

在所述平坦膜上依次形成片上滤色器和片上微透镜。

6.如权利要求5所述的固态成像装置的制造方法，还包括在所述反射 防止膜上形成绝缘膜的步骤。

7.一种电子设备，包括：

固态成像装置；

光学系统，其向所述固态成像装置引导入射光；以及

信号处理电路，其处理所述固态成像装置的输出信号，

其中，所述固态成像装置包括：

像素区域，在所述像素区域中排列有多个由光电转换部和像素晶 体管构成的像素；

片上滤色器；

片上微透镜；

多层布线层，多层布线经由层间绝缘膜而形成在所述多层布线层 中；

反射防止膜，所述反射防止膜被形成在排列了所述光电转换部的 受光面上，包括氧化硅膜和高折射率膜，所述高折射率膜被层叠在比 所述氧化硅膜更远离受光面的一侧，并且具有比该氧化硅膜的折射率 高的折射率；

绝缘膜，所述绝缘膜被形成在所述反射防止膜上，由氧化硅膜形 成；以及

遮光膜，所述遮光膜被形成在所述绝缘膜的像素边界上，并且，所述 遮光膜被形成在与外围电路以及所述像素区域的光学黑色电平区域对应的 绝缘膜上；

其中，所述遮光膜被连接在半导体衬底的接地区域。

8.如权利要求7所述的电子设备，其中，

所述固态成像装置被构成为所述像素晶体管和所述多层布线层形成在 所述受光面的相反一侧的背照式固态成像装置。