[发明专利]一种测试电感的方法

权利要求书

1.一种测试晶片上的电感的方法，所述晶片包括设置于该晶片上的电感和连接该电感的外围引线，该外围引线包括使所述电感接地的第一引线，和使该电感的两端分别连接相对应焊盘的第二引线和第三引线，所述方法包括下列步骤：

测量包含所述电感和外围引线的第一参数；

移除所述电感，得到包含外围引线的开路结构，测量该开路结构的第二参数；

将所述开路结构的外围引线互相连接，形成短路结构，测量该短路结构的第三参数；

通过从所述第一参数中减去第二参数和第三参数获取表示所述电感值的第四参数。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一参数为第一导纳参数，所述第二参数为第二导纳参数，第三参数为第三阻抗参数。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将所述第四参数转换为晶片上电感的电阻值、电感值和品质因数值。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述测量包含所述电感和外围引线的第一参数的步骤进一步包括：

测量所述电感和外围引线分别对应的第一散射参数，将该第一散射参数转换为第一导纳参数；

其中该第一散射参数包括所述电感对应的散射参数，以及外围引线上的寄生电阻、寄生电感和寄生电容分别对应的散射参数。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述测量该开路结构的第二参数的步骤进一步包括：

测量所述开路结构的第二散射参数，将该第二散射参数转换为第二导纳参数；

其中，所述第二散射参数包括所述外围引线上的寄生电容对应的散射参数。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述测量该短路结构的第三参数的步骤进一步包括：

测量所述短路结构的第三散射参数，将该第三散射参数转换为第三阻抗参数；

其中，所述第三散射参数包括所述外围引线上的寄生电阻和寄生电感分别对应的阻抗参数。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述短路结构为所述各自连接焊盘的第二引线、第三引线与所述接地的第一引线相互移动连接。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述电感为半数圈电感时，所述将所述开路结构的外围引线互相连接包括：将所述第二引线、第三引线和各自的焊盘分别向所述电感的中心移动，以及将所述第一引线及其连接接地的部分向电感的中心移动，使其与所述第二引线和第三引线互相连接形成短路。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述电感为整数圈电感时，所述将所述开路结构的外围引线互相连接包括：将所述第一引线及其连接接地的部分整体移动，使其与所述第二引线和第三引线互相连接形成短路。