[发明专利]新型TEM样品支持膜(氮化硅窗口)的制作工艺

权利要求书

1.一种氮化硅窗口制作工艺：具体步骤为：通过在硅基片的一面沉积氮化硅薄膜，另一面沉积掩膜层得到SiNx/Si/Mask结构；然后采用微加工工艺制作腐蚀图形。

2.根据权利要求1中所述的制作工艺，其特征在于，所述制作腐蚀图形的微加工工艺具体步骤如下：(1)在Mask层上涂光刻胶，(2)用紫外曝光机进行曝光，(3)用干刻或湿刻把经过曝光显影掉的掩膜刻蚀掉，(4)用丙酮把光刻胶去掉，得到有图案的掩膜层，此时，图案部分掩膜已被刻蚀掉；然后将样品置入碱性溶液，对硅基片进行腐蚀，该腐蚀终止在所述氮化硅薄膜表面，所得最终腐蚀角a为54.7度；得到最终的TEM支持膜。

3.根据权利要求1中所述制作工艺，其特征在于，所述掩膜层采用氮化硅掩膜层。

4.根据权利要求1中所述的制作工艺，其特征在于，所用硅基片为双抛(100)的硅片，厚度为100到500微米，优选为200微米。

5.根据权利要求1中所述的制作工艺，其特征在于，所述的氮化硅薄膜用气相沉积，优选低压气相沉积(LPCVD)。

6.根据权利要求1中所述的制作工艺，其特征在于，所述的氮化硅薄膜厚度为15nm到300nm。

7.根据权利要求1中所述的制作工艺，其特征在于，所述的掩膜层为在碱溶液中与硅刻蚀小于1∶50的薄膜，可以选择氮化硅薄膜做掩膜层。

8.根据权利要求2中所述的制作工艺，其特征在于，所用腐蚀液为碱溶液，优选质量分数为30％的KOH溶液。

9.根据权利要求2中所述的制作工艺，其特征在于，为了防止掩膜层以及氮化硅层被腐蚀过程中脱落，优选的腐蚀温度应低于50度。

10.根据权利要求2中所述的制作工艺，其特征在于，所述硅基片中的硅在碱性溶液中为各向异性腐蚀。