[发明专利]使用可能性写入对MRAM单元进行编程

权利要求书

1.一种写入磁阻随机存取存储器MRAM单元的方法，所述方法包括：

提供第一写入脉冲以向所述MRAM单元写入值，所述第一写入脉冲预 期的一次写入可能性小于100％；以及

在提供所述第一写入脉冲的步骤之后立即检验所述MRAM单元的写 入是否成功。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

当所述MRAM单元的状态指示通过所述第一写入脉冲成功写入，则结 束向所述MRAM单元的写入；以及

当所述MRAM单元的状态指示通过所述第一写入脉冲没有成功写入， 则提供第二写入脉冲以向所述MRAM单元写入值。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

检验所述MRAM单元的写入是否成功；

当所述MRAM单元的附加状态指示通过所述第二写入脉冲成功写入， 则结束向所述MRAM单元的写入；以及

当所述MRAM单元的所述附加状态指示通过所述第二写入脉冲没有 成功写入，则提供第三写入脉冲以向所述MRAM单元写入值。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二写入脉冲与所述第一 写入脉冲相同或者不同。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一写入脉冲预期的一次 写入可能性小于100％、小于99％或者小于70％。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在完成提供所述第一写入脉冲 的步骤之后，在50毫微秒内执行检验所述MRAM单元的状态的步骤。

7.一种写入磁阻随机存取存储器MRAM单元的方法，所述方法包括：

向第一MRAM单元提供第一写入脉冲，其中，所述第一写入脉冲预期 的一次写入可能性小于100％；

执行第一验证以检验所述第一MRAM单元的第一状态；以及

提供第二写入脉冲以重写所述第一MRAM单元。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

向第二MRAM单元提供第三写入脉冲；

执行第二验证以检验所述第二MRAM单元的第二状态；以及

在所述第二验证之后结束对所述第二MRAM单元的写入，而无需提供 附加写入脉冲来重写所述第二MRAM单元，

其中，所述第一MRAM单元的所述第一状态指示通过所述第一写入脉 冲的不成功写入，以及其中，所述第二MRAM单元的所述第二状态指示通 过所述第三写入脉冲的成功写入。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一写入脉冲与所述第二 写入脉冲相同。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在提供所述第二写入脉冲的步骤之后，执行第二验证以检验所述第一 MRAM单元的第二状态；

当所述第一MRAM单元的所述第二状态指示通过所述第二写入脉冲 成功写入，则结束向所述第一MRAM单元的写入；以及

当所述第一MRAM单元的所述第二状态指示通过所述第二写入脉冲 没有成功写入，则提供第三写入脉冲以重写所述第一MRAM单元，

其中，所述第一写入脉冲、所述第二写入脉冲和所述第三写入脉冲彼 此相同。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述第一写入脉冲和所述 第二写入脉冲之间，不对与所述第一MRAM单元处于相同MRAM阵列的 其它MRAM单元进行写入或读取。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一写入脉冲预期的一 次写入可能性小于70％。