[发明专利]非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法

权利要求书

1.一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，其特征在于该方法包括以下步骤：

首先，依据配方比例，调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的混合粉末；

其次，该混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的浆料；

接着，将该浆料以非真空涂布法涂布在钼层上，再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的光吸收前驱层；

接着，利用多道独立气压缸控制的滚轮，来回滚压该光吸收前驱层；以及

最后，将滚压后的光吸收前驱层，置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的配方比例是指IB∶IIIA∶VI元素的摩尔比例＝0.9-1.0∶1.0∶2.0。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的IB族元素包括铜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的VIA族元素可为硒或硫或硒硫混合材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的溶剂包括醇类、醚类、酮类或混合所述二种以上溶剂的至少其中之一。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的非真空涂布法为电沉积法、刮刀涂布法、狭缝涂布法、网印法或超音波涂布法。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的VIA族元素粉末为硒粉、硫粉或硒硫混合粉末其中之一。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于其中所述的高温RTA炉内温度介于400-800℃之间。