[发明专利]接触孔形成方法

权利要求书

1.一种接触孔形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体结构，其包括衬底；位于衬底中及衬底上的MOS器件；覆盖MOS器件和衬底的层间介质层，所述层间介质层包括氧化物层和位于所述氧化物层上的氮化物层；

对所述层间介质层进行刻蚀，刻蚀停止在衬底表面，在所述层间介质层中形成通孔，所述刻蚀的同时在通孔内形成刻蚀聚合物；

对所述刻蚀聚合物和所述通孔暴露的衬底进行干法刻蚀，使所述通孔延伸至衬底内；

用酸性溶液清洗，去除所述通孔内剩余的刻蚀聚合物，形成接触孔。

2.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，对所述刻蚀聚合物和所述通孔暴露的衬底进行干法刻蚀步骤中，刻蚀气体为NF3或者NF3和惰性气体的混合气体。

3.根据权利要求2所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述氮化物层的材料为氮化硅，所述氧化物层的材料为PSG。

4.根据权利要求3所述的接触孔形成方法，其特征在于，对所述刻蚀聚合物和所述通孔暴露的衬底进行干法刻蚀步骤中NF3的流量为4sccm至8sccm，腔室压强为20mt至30mt，射频功率为40w至60w，电极温度为60摄氏度，时间为15s至20s。

5.根据权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述酸溶液为：HF溶液。

6.根据权利要求5所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述HF溶液浓度小于或等于500ppm，清洗时间为101s至130s。

7.一种接触孔形成方法，其特征在于，包括步骤：

提供半导体结构，其包括衬底；位于衬底上的导电层；覆盖所述导电层的层间介质层，所述层间介质层包括氧化物层和位于所述氧化物层上的氮化物层；

对所述层间介质层进行刻蚀，刻蚀停止在衬底表面，在所述层间介质层中形成通孔，所述刻蚀的同时在通孔内形成刻蚀聚合物；

对所述刻蚀聚合物和所述通孔暴露的衬底进行干法刻蚀，使所述通孔延伸至衬底内；

用酸性溶液清洗，去除所述通孔内剩余的刻蚀聚合物，形成接触孔。

8.根据权利要求7所述的接触孔形成方法，其特征在于，对所述刻蚀聚合物和所述通孔暴露的衬底进行干法刻蚀步骤中刻蚀气体为NF3或NF3和惰性气体的混合气体。

9.根据权利要求8所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述氮化层的材料为氮化硅，所述氧化物层的材料为PSG。

10.根据权利要求11所述的接触孔形成方法，其特征在于，对所述刻蚀聚合物和所述通孔暴露的衬底进行干法刻蚀步骤中NF3的流量为4sccm至8sccm，腔室压强为20mt至30mt，射频功率为40w至60w，电极温度为60摄氏度，时间为15s至20s。

11.根据权利要求7所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述酸溶液为：HF溶液。

12.根据权利要求11所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述HF溶液浓度小于或等于500ppm，清洗时间在101s至130s。