[发明专利]非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法无效
申请号: | 201010111478.3 | 申请日: | 2010-02-11 |
公开(公告)号: | CN101840957A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 林群福;陈文仁;杨益郎 | 申请(专利权)人: | 昆山正富机械工业有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 215332 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 制作 铜铟镓硒 浆料 调配 方法 | ||
1.一种非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法,其特征在于其是用以在非真空环境下制作一铜铟镓硒浆料,该铜铟镓硒浆料是用以涂布在一钼层上而形成一吸收层,该方法包括以下步骤:
首先,依据一配方比例,混合薄片形状且含IB、IIIA族元素的二元或三元硒化物材料,以形成一原始混合粉末,且该IB族元素包括铜,该IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料;
接着,添加溶剂作为混合媒介;以及
最后,添加界面活性剂或接着剂并搅拌均匀以完成浆料的调配,藉以形成含有IB、IIIA族及硒元素的铜铟镓硒浆料。
2.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法,其特征在于其中所述的原始混合粉末的配方比例是包括该IB、IIIA族元素及硒元素的莫耳比例等于0.9-1.0∶1.0∶2.0。
3.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法,其特征在于其中二元硒化物为二铜化硒、一铜化硒、二铟化三硒、二镓化三硒、铟化硒、镓化硒其中之一。
4.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法,其特征在于其中三元硒化物为硒化铜铟或硒化铜镓其中之一。
5.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法,其特征在于其中薄片材料占总材料的体积比例小于50%。
6.根据权利要求1所述的非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法,其特征在于其中所述的溶剂包括醇类、醚类、酮类或混合上述二种以上溶剂的至少其中之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的