[发明专利]太阳能吸收层的浆料的制造方法、太阳能吸收层及其浆料无效

专利信息
申请号: 201010111480.0 申请日: 2010-02-11
公开(公告)号: CN101840959A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 陈文仁;杨益郎 申请(专利权)人: 昆山正富机械工业有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0216
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 215332 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 太阳能 吸收 浆料 制造 方法 及其
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种太阳能吸收层的浆料的制造方法,特别是涉及一种不需要添加传统界面活性剂或接着剂,且可解决浆料成膜时的孔隙问题的太阳能吸收层的浆料的制造方法、太阳能吸收层及其浆料。

背景技术

近年来,随着国际油价高涨及环保意识的抬头,绿色能源已成为新能源的主流,其中太阳能电池又因系取自太阳的稳定辐射能,来源不会枯竭,因此更为各国所重视,无不挹注大量研发经费及政策性补贴,以扶植本地的太阳能电池产业,使得全球太阳能产业的发展非常快速。

第一代太阳能模块包括单晶硅和多晶硅的太阳能模块,虽然光电转换效率高且量产技术成熟,但因为材料成本高,且硅晶圆常因半导体工业的需求而货源不足,影响后续的量产规模。因此,包含非晶硅薄膜、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或铜铟镓硒(硫)(CIGSS)薄膜和碲化镉薄膜的第二代的薄膜太阳能模块,在近几年已逐渐发展并成熟,其中又以铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)太阳能电池的转换效率最高(单元电池可高达20%而模块约14%),因此特别受到重视。

请参阅图1所示,是现有习用技术的铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)太阳能电池结构的示意图。如图1所示,现有习用技术的铜铟镓硒太阳能电池结构包括基板10、第一导电层20、铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层30、缓冲层40、绝缘层50以及第二导电层60,其中基板10可为玻璃板、铝板、不绣钢板或塑胶板,第一导电层20一般包括金属钼,当作背面电极,铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层30包括适当比例的铜、铟、镓及硒,当作p型薄膜,为主要的光线吸收层,缓冲层40可包括硫化镉(CdS),当作n型薄膜,绝缘层50包括氧化锌(ZnO),用以提供保护,第二导电层60包含氧化锌铝(ZnO:Al),用以连接正面电极。

上述铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)太阳能电池的制造方法主要依据铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层的制造环境而分成真空工艺及非真空工艺。真空工艺包括溅镀法或蒸镀法,缺点是投资成本较高且材料利用率较低,因此整体制作成本较高。非真空工艺包括印刷法或电沉积法,缺点是技术仍不成熟,仍无较大面积的商品化产品。不过非真空工艺仍具有制造设备简单且工艺条件容易达成的优点,因而具有相当的商业潜力。

铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层的非真空工艺是先调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料或墨水(Ink),用以涂布到钼层上。

现有习用技术中,铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料调配是先以适当比例混合含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份的粉末以形成原始含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)的粉末,再添加适当比例的溶剂,并进行搅拌以形成原始铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料,最后添加接着剂(binder)或界面活性剂以提高铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层和钼背面电极的接着性,并进行搅拌混合以形成最后铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料。

上述现有习用技术的缺点是,接着剂、界面活性剂可能会残留在最后的铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层内,造成铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层的含碳量和含氧量偏高,影响铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)吸收层的光吸收特性,甚至影响效率。因此,需要一种不添加接着剂、界面活性剂的铜铟镓硒(硫)浆料调配方法,以改善上述现有习用技术的问题。

同时由于一般浆料在配置时,会使用纳米级含IB、IIIA及VIA族元素的球状颗粒,而平均粒径相同的颗粒,在堆叠成膜时易有孔隙太大的问题,因此需要一种包含球状颗粒和其他如薄片状纳米颗粒混合均匀的纳米粉,以改善孔隙太大的问题。

由此可见,上述现有的太阳能吸收层的浆料的制造方法、太阳能吸收层及其浆料在产品结构、方法与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品及方法又没有适切的产品及方法能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的太阳能吸收层的浆料的制造方法、太阳能吸收层及其浆料,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

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