[发明专利]以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法无效
| 申请号： | 201010111484.9 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101820025A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 杨益郎;陈文仁;林群福 | 申请（专利权）人： | 昆山正富机械工业有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 215332 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 真空 工艺 制作 铜铟镓硒 光吸收 方法 | ||
1.一种以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，其特征在于其包括以下步骤：
(1)首先，依据配方比例，调配不同平均粒径含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)混合粉末，其中小尺寸颗粒平均粒径为大尺寸颗平均粒径的30％以下；
(2)其次在含铜铟镓硒(硫)混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒(硫)浆料；
(3)接着将含铜铟镓硒(硫)浆料以非真空涂布法涂布在含下电极的基板上；
(4)再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层；
(5)最后将含铜铟镓硒(硫)的光吸收前驱层，置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶，完成铜铟镓硒(硫)光吸收层的制作。
2.根据权利要求1所述的以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其特征在于其中所述的配方比例指IB∶IIIA∶VI元素的莫耳比例＝0.9-1.0∶1.0∶2.0。
3.根据权利要求1所述的以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其特征在于其中所述的IB族元素包括铜。
4.根据权利要求1所述的以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其特征在于其中所述的IIIA族元素包括铟或镓或铟镓混合材料。
5.根据权利要求1所述的以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其特征在于其中所述的VIA族元素为硒或硫或硒硫混合材料。
6.根据权利要求1所述的以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其特征在于其中所述的大尺寸颗粒粉末的平均粒径粉介于5-500nm。
7.根据权利要求1所述的以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其特征在于其中所述的溶剂包括醇类、醚类、酮类或混合所述二种以上溶剂的至少其中之一。
8.根据权利要求1所述的以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其特征在于其中所述的非真空涂布法包括电沉积法、刮刀涂布法、狭缝涂布法、网印法或超音波涂布法。
9.根据权利要求1所述的以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其特征在于其中所述的VIA族元素粉末为硒粉、硫粉或硒硫混合粉末其中之一。
10.根据权利要求1所述的以非真空工艺制作铜铟镓硒(硫)光吸收层的方法，其特征在于其中所述的高温RTA炉内温度介于400-800℃之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
