[发明专利]一种低温多晶硅薄膜材料无效
| 申请号： | 201010112041.1 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101834126A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 彭俊华;黄飚;黄宇华 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜 材料 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，其自下而上顺序地包括：
衬底；
具有凹槽结构的第一阻挡层；
金属诱导层；
第二阻挡层；和
多晶硅层。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述第一阻挡层包括多个凹槽和位于凹槽之间的凸起部分。
3.根据权利要求2所述的低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，相邻两个凸起部分之间的间距可以为10～100微米，凸起的高度为1～5纳米。
4.根据权利要求3所述的低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述凸起部分的截面为矩形或梯形。
5.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述矩形宽为1.5～3.0微米。
6.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述梯形的上底宽度为0.5-3.0微米，下底宽度为0.5-6.0微米。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述金属诱导层具有沿第一阻挡层的凹凸结构。
8.根据权利要求7所述的低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述第二阻挡层的厚度足以使第二阻挡层覆盖所述金属诱导层的凹凸结构。
9.根据权利要求8所述的低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，所述第二阻挡层与非晶硅层的接触平面为平坦的。
10.根据权利要求9所述的低温多晶硅薄膜材料，其特征在于，从金属诱导层的凹槽到第二阻挡层的上表面的距离大约为3.0～4.0微米；从金属诱导层的凸起部分到第二阻挡层的上表面的距离大约为1.0～2.0微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
