[发明专利]单晶炉装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅单晶制造装置，特别是涉及一种单晶炉装置。

背景技术

单晶硅一般用CZ法制造。CZ法指的是在单晶炉内设置石英坩埚，并将硅料装入石英坩埚内，再依靠安装在石英坩埚周围的加热器使硅料熔化，后把安装在籽晶夹头上的籽晶进入熔液，并通过籽晶夹头与石英坩埚的相互逆转进而制造出规定直径和长度的单晶棒。此时，为了遮蔽熔液的热量，在石英坩埚上方设置围绕单晶棒的热屏。

也就是说，现有的单晶炉装置通常包括热屏。请参阅图1，该热屏13可以是由热屏罩21和断热材22所组成。断热材22环绕拉晶中的单晶棒11，断热材22的外周可以全部被热屏罩21覆盖，也可以是断热材22的外周和内周全部被热屏罩21覆盖。热屏13位于石英坩埚12的上方。

为了缩短拉晶时间，进而提高生产效率，目前最有效的方法是提高拉晶速度。而若要提高拉晶速度，则最需要解决的问题就是单晶棒的冷却速率。在2001年10月2日公开的特开2001-270797的日本专利中，公开了一种由Wacker-NSEC株式会社申请的发明名称为“硅单晶制造装置”的专利，其装置设置有辐射热反射体和辐射热遮蔽体，辐射热反射体环绕拉晶中的单晶棒，上部为环状，下部向下直径渐小，辐射热遮蔽体环绕在辐射热反射体外侧。该辐射热遮蔽体和辐射热反射体有2处连接部连接，连接部以外没有相互接触。

这种装置虽然能够在一定程度上提升单晶棒的冷却速率，但是还是存在以下问题：

上述专利申请中，是通过在辐射热遮蔽体的最上端部设置一支撑连接部，通过该支撑连接部使得辐射热反射体能够位于辐射热遮蔽体的内侧，进而能够实现环绕拉晶中的单晶棒的目的。这种结构比较复杂，并且还需要达到申请文件中提到的“该辐射热反射体的缩径部最下部，至少为缩径部最高部的十分之一，并相对于水平面要有40度至50度的倾斜”，实现起来具有一定的难度。

再次，在该专利文件中公开的辐射热反射体主要指石墨或CC复合材料的表面上涂覆反射层，反射层就是申请文件中说的被辐射率为0.5以下的素材。石墨或CC复合材料直接涂覆反射层，若涂覆的反射层均匀，需要的工艺要求高，若涂覆的反射层不均匀，则反射热量的效果就有可能打折扣。

发明内容

本发明的目的在于提供一种单晶炉装置，以达到提高晶棒的冷却效率，进而提高拉晶速率的技术目的。

为了达到上述目的，本发明提供一种单晶炉装置，包括热屏和石英坩埚，所述热屏是由断热材、反射板组成，断热材设置在石英坩埚的上方，其下部直径小于上部直径，断热材的内侧放置有反射板，反射板环绕拉晶中的晶棒，反射板与断热材之间未预留空间。

反射板的材质可采用即使长时间暴露在高温中变形仍然很小、辐射率很低的钼或者钨。

并且，为了提高反射热量的效率，反射板可采用作过镜面处理的反射板。

为了增加隔热的功效，在热屏上部可设置上部断热材。

与现有技术相比，本发明具有以下的优势：

首先，本发明关于设置在石英坩埚上方围绕晶棒且下部直径小于上部直径的热屏，使用了至少以降低消耗电力为目的的断热材和以提高晶棒冷却效果提高拉晶速度为目的的反射板，通过将晶棒表面的辐射热向上反射，达到提高晶棒冷却的效果，由此能够实现拉晶速度的提高，进而达到缩短拉晶时间，从而提高生产效率的功效。

接着，本发明采用在现有的热屏结构的内侧直接放置有反射板，不需要重新设置连接部，实现方便，且结构简单。

其次，本发明的反射板可采用作过镜面处理的反射板，进一步提升将晶棒表面的辐射热向上反射的效率。

最后，本发明直接采用采用即使长时间暴露在高温中变形仍然很小、辐射率很低的钼或者钨作为反射板，而不是在现有的石墨上设置有涂层来作为反射层，反射板的稳定性更高。

附图说明

图1为现有技术中单晶炉装置的一实施例示意图。

图2为本发明中单晶炉装置中热屏的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图，进一步说明本发明。

实施例

请参阅图1，其为一种单晶炉装置中热屏的结构示意图。它包括热屏和石英坩埚，单晶炉装置的其它结构在此就不再详细说明。热屏是由断热材32、反射板33组成，断热材32设置在石英坩埚的上方，其下部直径小于上部直径，断热材32的内侧放置有反射板33，反射板33环绕拉晶中的晶棒，反射板33与断热材32之间未预留空间。反射板33将晶棒表面的辐射热向上反射，由此提高晶棒的散热效率。

反射板33的材质可以采用即使长时间暴露在高温中变形仍然很小、辐射率很低的钼或者钨。