[发明专利]一种以太阳光为曝光光源制作微流控芯片的方法及其应用

权利要求书

1.以太阳光为曝光光源制作微流控芯片的方法，将待曝光的光刻胶平板放在与曝光光源相垂直的方向曝光，根据UV能量计检测到的阳光中UV强度、光刻胶的种类及所需芯片阳模的三维尺寸，优化及校正曝光条件，得到光刻胶上各种微图案的曝光结果，在此条件下得到的模板用以制作微流控芯片装置；其特征在于：所述的曝光光源为太阳光。

2.按照权利要求1所述以太阳光为曝光光源制作微流控芯片的方法，其特征在于：所述微图案的曝光条件的优化，要根据阳光中UV强度、光刻胶的种类及所需芯片阳模的三维尺寸进行优化。

3.权利要求1所述以太阳光为曝光光源制作的微流控芯片有玻璃电泳芯片、PDMS浓度梯度生成芯片及集成气动微阀的细胞培养芯片。

4.按照权利要求2所述以太阳光为曝光光源制作微流控芯片的方法，其特征在于：所述在阳光紫外强度为1.2mW/cm²条件下，玻璃电泳芯片的模板制作需要对570nm厚的S-1805正胶进行60秒的选择性曝光。

5.按照权利要求2所述以太阳光为曝光光源制作微流控芯片的方法，其特征在于：所述在阳光紫外强度为1.2mW/cm²条件下，PDMS浓度梯度生成芯片模板为SU-83035、60μm厚时，PDMS浓度梯度生成芯片的曝光时间为120秒。

6.按照权利要求2所述以太阳光为曝光光源制作微流控芯片的方法，其特征在于：所述在阳光紫外强度为1.2mW/cm²条件下，集成气动微阀的细胞培养芯片的模板制作需要对570nm厚的S-1805正胶进行60秒、40秒的曝光，分别作为集成气动微阀的细胞培养芯片的液路层、气路层。