[发明专利]防止半导体光放大器管芯激射的封装方法

权利要求书

1.防止单偏振态半导体光放大器管芯激射的封装方法，其特征在于在TO底座或者任意封装形式的管体内部贴装单偏振态半导体光放大器管芯，在半导体光放大器管芯组件前端出射光上面加一个垫片，用胶将垫片粘接到管芯组件前端，然后将λ/4波片旋转φ＝45°后用胶粘接至垫片上，λ/4波片需有一定的面积与垫片重合，使波片能完全覆盖到单偏振态半导体光放大器管芯发光区域，在所需温度下烘烤直到固胶，

或在TO底座或者任意封装形式的管体内部贴装单偏振态半导体光放大器管芯组件，封装非球透镜帽、球透镜帽或平窗透镜，然后在插针套上面贴装法拉第Faraday旋光片。

2.根据权利要求1所述的防止半导体光放大器管芯激射的封装方法，其特征在于λ/4波片既可以放在透镜与光纤之间、也可以放在透镜与管芯之间或光纤、透镜以及管芯之间的光路的其它位置。

3.根据权利要求1所述的防止半导体光放大器管芯激射的封装方法，其特征在于法拉第旋光片既可以放在透镜与光纤之间、也可以放在或透镜与管芯之间或光纤、透镜以及管芯之间的光路的其它位置。