[发明专利]高压金属氧化物半导体元件与制作方法

权利要求书

1.一种高压金属氧化物半导体元件，其特征在于，包含：

一基板；

位于该基板表面上的一栅极结构；

位于该基板内部的一P型井区，从顶面视之此P型井区在水平面上构成一元件区；

位于该P型井区内部的一第一N型漂移区；

位于该P型井区内部的一N型源极；

位于该第一N型漂移区内部的一N型漏极，其与该栅极结构以该第一N型漂移区隔开；以及

位于该P型井区与该第一N型漂移区交界处且仅涵盖部分元件区的一第一P型掺杂区，该第一P型掺杂区以离子植入技术，植入P型杂质，以加强该高压金属氧化物半导体元件的崩溃防护电压。

2.如权利要求1所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，从剖面图视之，该第一P型掺杂区的一端至多延伸至该N型漏极中点，另一端至少延伸至该栅极结构下方一部分。

3.如权利要求2所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，该高压金属氧化物半导体元件为一非对称元件，其更包含：

一与该N型源极部分重叠且部分位于该栅极结构下方的N型轻掺杂区。

4.如权利要求2所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，该高压金属氧化物半导体元件为一对称元件，其更包含：

位于该P型井区内部的一第二N型漂移区，以隔开该N型源极与该栅极结构；以及

位于该P型井区与该第二N型漂移区交界处且仅涵盖部分元件区的一第二P型掺杂区，其中从剖面图视之，该第二P型掺杂区的一端至多延伸至该N型源极中点，另一端至少延伸至该栅极结构下方一部分。

5.一种高压金属氧化物半导体元件，其特征在于，包含：

一基板；

位于该基板表面上的一栅极结构；

位于该基板内部的一N型井区，从顶面视之此N型井区在水平面上构成一元件区；

位于该N型井区内部的一第一P型漂移区；

位于该N型井区内部的一P型源极；

位于该第一P型漂移区内部的一P型漏极，其与该栅极结构以该第一P型漂移区隔开；以及

位于该P型漏极与该第一P型漂移区交界处且仅涵盖部分元件区的一第一P型掺杂区，该第一P型掺杂区以离子植入技术，植入P型杂质，以降低该高压金属氧化物半导体元件的导通阻值。

6.如权利要求5所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，从剖面图视之，该第一P型掺杂区的一端至多延伸至该N型井区与第一P型漂移区的交界处。

7.如权利要求6所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，该高压金属氧化物半导体元件为一非对称元件，其更包含：

一与该P型源极部分重叠且部分位于该栅极下方的P型轻掺杂区。

8.如权利要求6所述的高压金属氧化物半导体元件，其中，该高压金属氧化物半导体元件为一对称元件，其更包含：

位于该N型井区内部的一第二P型漂移区，以隔开该P型源极与该栅极结构；以及

位于该N型井区与该第二P型漂移区交界处且仅涵盖部分元件区的一第二P型掺杂区，其中从剖面图视之，该第二P型掺杂区的一端至多延伸至该N型井区与第二P型漂移区的交界处。

9.一种制作高压金属氧化物半导体元件的方法，其特征在于，包含以下步骤：

提供一基板；

于该基板内部形成一第一导电型井区，从顶面视之此第一导电型井区在水平面上构成一元件区；

于该第一导电型井区内部形成一第二导电型的漂移区；

位于该基板表面上，形成一栅极结构；

于该第一导电型井区内部形成一第二导电型源极；

于该第一漂移区内部形成一第二导电型漏极，其与该栅极结构以该漂移区隔开；以及

以离子植入技术，植入P型杂质，以于该基板表面下方形成一不涵盖整个元件区的P型掺杂区，以在调整临界电压的同时加强该半导体元件的崩溃防护电压或降低该半导体元件的导通阻值。

10.如权利要求9所述的制作高压金属氧化物半导体元件的方法，其中，该第一导电型为P型，第二导电型为N型，且该P型掺杂区位于该第一导电型井区与该漂移区交界处且仅涵盖部分元件区，用以增加该高压金属氧化物半导体元件的崩溃电压。