[发明专利]抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法

权利要求书

1.一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器，其特征在于该电阻随机存储器包括：

第一存储电阻，

用于选通所述第一存储电阻的第一选通管，

第二存储电阻，以及

用于选通所述第二存储电阻的第二选通管；

第一存储电阻处于高阻态且第二存储电阻处于低阻态时，所述电阻随机存储器存储第一数据状态；第一存储电阻处于低阻态且第二存储电阻处于高阻态时，所述电阻随机存储器存储第二数据状态；

其中，所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物，所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。

2.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述第一选通管与第二选通管的控制端并联连接于同一条字线。

3.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，第一存储电阻和第二存储电阻都处于高阻态时，所述电阻随机存储单元处于初始状态。

4.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述第一选通管与第二选通管均为MOS管。

5.根据权利要求4所述的电阻随机存储器，其特征在于，作为第一选通管的MOS管的源端与作为第二选通管的MOS管的源端同时并联连接于同一源线。

6.根据权利要求5所述的电阻随机存储器，其特征在于，作为第一选通管的MOS管的漏端与第一存储电阻串联连接，作为第二选通管的MOS管的漏端与第二存储电阻串联连接。

7.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述金属氧化物是铜的氧化物、镍的氧化物、钛的氧化物、锆的氧化物、铝的氧化物、铌的氧化物、钽的氧化物、铪的氧化物、钼的氧化物、锌的氧化物之一。

8.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述第一存储电阻和第二存储电阻结构参数相同，所述第一选通管和第二选通管结构参数相同。

9.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，读取所述电阻随机存储器的第一数据状态或第二数据状态时，从第一位线和第二位线上分别同时施加读操作信号于第一存储电阻、第二存储电阻，第一位线上流过的电流与第二位线上流过的电流之和相同。

10.根据权利要求9所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述读操作信号为电流信号或者电压信号。

11.根据权利要求1所述的电阻随机存储器，其特征在于，所述第一选通管与第二选通管为三极管或者二极管。

12.一种如权利要求1所述电阻随机存储器的读电路，多个电阻随机存储器按照M行N列的形式阵列排列，其特征在于，所述读电路包括：

M条用于控制选通管的字线，

N条第一位线和N条第二位线，

一个灵敏放大器，

N个第一位线选通管和N个第二位线选通管，以及

N条用于控制位线选通管的选择线；

其中，所有第一位线并联连接于灵敏放大器的第一输入端，所有第二位线并联连接于灵敏放大器的第二输入端；所述M和N为大于1的整数。

13.根据权利要求12所述的读电路，其特征在于，所述电阻随机存储器的第一位线选通管和第二位线选通均为MOS管；所述第一位线选通管和第二位线选通管均为MOS管。

14.根据权利要求13所述的读电路，其特征在于，所述选择线同时连接于作为第一位线选通管的MOS管的栅端和作为第二位线选通管的MOS管的栅端。

15.根据权利要求13所述的读电路，其特征在于，所述M为大于或等于2的偶数，所述读电路还包括M/2条源线，每相邻两行的电阻随机存储器共用一条源线。

16.根据权利要求15所述的读电路，其特征在于，同一电阻随机存储器中的作为第一选通管的MOS管的源端与作为第二选通管的MOS管的源端同时并联连接于所述源线。

17.根据权利要求12所述的读电路，其特征在于，还包括用于验证电阻随机存储器是否编程成功的参考电流输入电路，所述参考电流输入电路包括两个分别置于第一位线和灵敏放大器的第一输入端之间、第二位线和灵敏放大器的第二输入端之间的传输门，参考电流源，两个并联的分别置于灵敏放大器的第一输入端和参考电流源之间、第二输入端和参考电流源之间的传输门。