[发明专利]平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极有效
| 申请号： | 201010113804.4 | 申请日： | 2010-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101794850A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平行四边形 gan 发光二极管 芯片 对称 电极 | ||
1.一种平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极，包括P电极 和N电极，其制备方法是：对GaN外延片进行台面刻蚀，形成P型GaN 台面和N型GaN沟槽，在P型GaN材料上生长P型电极，在沟槽内制备 N型电极，其特征在于：
LED芯片形状为非矩形的平行四边形，N型焊盘位于该非矩形的平行 四边形的一个角上，N型条形电极自N型焊盘出发沿该非矩形的平行四边 形的边缘环绕一周；
P型电极的焊盘位于该非矩形的平行四边形的中心，P型条形电极首 先沿N型焊盘所在角对应的对角线方向分布，然后再平行于该非矩形的平 行四边形的边缘分布；
在该LED芯片内部N电极与P电极对称分布，以保证该LED芯片的 电流分布均匀，从而提高该LED芯片的出光效率和寿命。
2.如权利要求1所述的平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电 极，其特征在于：在该对称电极中，P电极的生长过程是先在P型GaN上 生长透明导电薄膜，然后在透明导电薄膜上生长P电极。
3.如权利要求1所述的平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电 极，其特征在于：将权利要求1中所述P型电极替换为N型电极，同时将 权利要求1中所述N型电极替换为P型电极。
4.如权利要求1所述的平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电 极，其特征在于：P型电极和N型电极的条数能够随该LED芯片尺寸的 大小进行调整。
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