[发明专利]包括垂直NAND沟道的非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：

多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道，电结合到所述非易失性存储器装置的单一的选择栅极线。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道在所述非易失性存储器装置中限定的位线方向上相互偏移。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道在垂直于位线方向的方向上偏移一定的距离，所述距离小于包括在所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道中的单个沟道的宽度的两倍。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，从位线的中心到所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道中电结合到直接相邻的位线的垂直NAND沟道的中心测量所述距离。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，电结合到直接相邻的选择栅极线的分隔开的多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道相互对称地布置。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，电结合到直接相邻的选择栅极线的分隔开的多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道被对称地布置为互为镜像图像。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，电结合到直接相邻的选择栅极线的分隔开的多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道被对称地布置为完全相同。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，电结合到直接相邻的选择栅极线的分隔开的多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道被相对于彼此随机地布置。

9.根据权利要求1所述的装置，所述非易失性存储器装置还包括：

直接相邻的选择栅极线，结合到各分隔开的多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道，其中，所述直接相邻的选择栅极线在所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道的方向上相对于彼此偏移。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，结合到所述直接相邻的偏移的垂直NAND沟道的直接相邻的位线的宽度比所述沟道的宽度窄。

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述直接相邻的偏移的垂直NAND沟道逻辑上被布置为启用所述非易失性存储器装置的单个页。

12.根据权利要求2所述的装置，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道包括：第一沟道，从第一沟道偏移的第二沟道，从第一和第二沟道偏移的第三沟道，在垂直于位线方向的方向上与第一沟道对齐的第四沟道。

13.根据权利要求2所述的装置，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道包括：第一沟道，从第一沟道偏移的第二沟道，从第一和第二沟道偏移的第三沟道，从第一沟道、第二沟道和第三沟道偏移的第四沟道，在垂直于位线方向的方向上与第一沟道对齐的第五沟道。

14.根据权利要求2所述的装置，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道包括：第一沟道，从第一沟道偏移的第二沟道，从第一和第二沟道偏移的第三沟道，从第一沟道、第二沟道和第三沟道偏移的第四沟道，从第一沟道、第二沟道、第三沟道、第四沟道偏移的第五沟道，在垂直于位线方向的方向上与第一沟道对齐的第六沟道。

15.根据权利要求1所述的装置，其中，所述沟道包括柱形沟道或圆柱形沟道。

16.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个直接相邻的偏移的垂直NAND沟道电结合到所述非易失性存储器装置的单一的上选择栅极线。

17.根据权利要求1所述的装置，其中，所述沟道包括裂开沟道。

18.根据权利要求1所述的装置，其中，所述下选择栅极线结合到每个垂直NAND沟道。

19.根据权利要求1所述的装置，所述非易失性存储器装置还包括：

多个控制栅极，结合到所述沟道中对应的沟道；

多条字线，电结合到所述多个控制栅极，其中，所述多条字线中的直接相邻的字线相互电连接。

20.根据权利要求1所述的装置，所述非易失性存储器装置还包括：

多个控制栅极，结合到所述沟道中对应的沟道；

多条字线，电结合到所述多个控制栅极；

电绝缘层，将多条字线中的直接相邻的字线相互分隔开。