[发明专利]用于光半导体封装的片有效
| 申请号： | 201010114553.1 | 申请日： | 2010-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101847683A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 末广一郎;藤冈和也;松田广和;赤泽光治;木村龙一;薄井英之 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/56 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨海荣;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 封装 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于光半导体封装的片，包含剥离片和层压在剥离片上的封装树脂层，
其中所述剥离片在与所述封装树脂层的界面处包含具有凹形状和/或凸形状的凹凸部形成层，并且所述封装树脂层在与所述剥离片的界面处具有与所述剥离片的凹形状嵌合的凸形状和/或与所述剥离片的凸形状嵌合的凹形状。
2.根据权利要求1的用于光半导体封装的片，其中所述剥离片在150℃下具有10～1,000MPa的储能模量，且在150℃下具有5.00％以下的片伸长率。
3.根据权利要求1的用于光半导体封装的片，其中所述封装树脂层包含：具有与所述剥离片的凹形状嵌合的凸形状和/或与所述剥离片的凸形状嵌合的凹形状的凹凸部形成层；以及能够包埋光半导体元件的元件包埋层，
其中所述封装树脂层的凹凸部形成层在20℃下具有6～1,500MPa的储能模量。
4.根据权利要求1的用于光半导体封装的片，其中所述封装树脂层中凸形状的凸部的高度和/或凹形状的凹部的深度为100nm～10μm。
5.根据权利要求1的用于光半导体封装的片，其中所述剥离片还包含支承层。
6.一种光半导体装置，其中，通过将根据权利要求1的用于光半导体封装的片以封装树脂层面向基底的方式层压至安装有光半导体元件的基底上；进行加压成形；然后将剥离片剥离，从而在表面上形成凸形状和/或凹形状。
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