[发明专利]固态成像器件及其制造方法、和成像装置

权利要求书

1.一种固态成像器件，包括：

从硅层的背面侧接收入射光以对所述入射光进行光电转换的光电转换 部；和

朝所述硅层的正面侧输出在所述光电转换部中生成的信号电荷的像素 晶体管部，其中

在所述硅层的正面侧、在其衬底表面中在俯视布局上与所述光电转换 部重叠的位置处设置有具有内应力的吸杂层。

2.如权利要求1所述的固态成像器件，其中，所述吸杂层直接形成在 所述硅层的正面上。

3.如权利要求1所述的固态成像器件，其中，

所述吸杂层经由门绝缘膜形成在所述硅层上；并且

负电位被施加于所述吸杂层。

4.如权利要求3所述的固态成像器件，其中，所述门绝缘膜由与所述 像素晶体管部的晶体管的门绝缘膜或外围电路部的晶体管的门绝缘膜位于 同一层的门绝缘膜形成，所述外围电路部形成在具有所述光电转换部和所 述像素晶体管部的像素部的外围上。

5.一种固态成像器件的制造方法，包括以下步骤：

在硅层中形成用于接收入射光并对所述入射光进行光电转换的光电转 换部、用于输出在所述光电转换部中生成的信号电荷的像素晶体管部、和 形成在具有所述光电转换部和所述像素晶体管部的像素部的外围上的外围 电路部；以及

以下在先的步骤，包括：

在所述硅层的正面上形成第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜的与形成有所述光电转换部的区域重叠的位置处形 成暴露所述硅层的孔径部；

在包括所述孔径部的内侧的所述第一绝缘膜上形成具有内应力的吸杂 形成层；

在所述硅层中形成器件分隔槽，以使所述光电转换部、所述像素晶体 管部和所述外围电路部分隔开，然后在所述吸杂形成层上形成第二绝缘膜 以掩埋所述器件分隔槽；

去除留在所述吸杂形成层上的所述第二绝缘膜，从而以留在所述器件 分隔槽内部的第二绝缘膜形成器件分隔区；以及

进行图案化，以使所述吸杂形成层留在所述孔径部内，从而形成吸杂 层。

6.一种固态成像器件的制造方法，包括以下步骤：

在硅层中形成通过对入射光进行光电转换而获得信号电荷的光电转换 部；

在所述硅层中形成像素晶体管部和外围电路部，所述像素晶体管部输 出在所述光电转换部中生成的信号电荷，所述外围电路部形成在具有所述 光电转换部和所述像素晶体管部的像素部的外围上；

在所述硅层的正面上形成所述像素晶体管部的晶体管或所述外围电路 部的晶体管的门绝缘膜，然后在与所述门绝缘膜的形成有所述光电转换部 的区域重叠的位置处形成暴露所述硅层的孔径部；

在包括所述孔径部的内侧的所述门绝缘膜上形成兼作具有内应力的吸 杂层的门电极形成膜；以及

以所述门电极形成膜形成所述像素晶体管部和所述外围电路部中的至 少一个的门电极，并进行图案化以使所述门电极形成膜留在所述孔径部内， 从而形成吸杂层。

7.一种固态成像器件的制造方法，包括以下步骤：

在硅层中形成通过对入射光进行光电转换而获得信号电荷的光电转换 部；

在所述硅层中形成像素晶体管部和外围电路部，所述像素晶体管部输 出在所述光电转换部中生成的信号电荷，所述外围电路部形成在具有所述 光电转换部和所述像素晶体管部的像素部的外围上；

在所述硅层上经由门绝缘膜形成所述像素晶体管部的晶体管和所述外 围电路部的晶体管的门电极；以及

在所述门电极的横向壁上形成侧壁，其中

所述形成侧壁的步骤包括以下步骤：

在所述硅层上形成侧壁形成膜以覆盖所述门电极；

在与所述门绝缘膜和所述侧壁形成膜的形成有所述光电转换部的区域 重叠的位置处形成暴露所述硅层的孔径部；以及

在所述硅层的正面的位于所述孔径部下方的的部分上形成具有内应力 的吸杂层。