[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，对例如半导体晶片或LCD基板(液 晶显示器用玻璃基板)等基板进行抗蚀剂液的涂敷处理、曝光后的显 影处理等处理。

背景技术

在半导体器件或LCD基板的制造工艺中，利用被称为光刻的技术 对基板进行抗蚀剂图案的形成。该技术通过以下一系列工序进行，即， 在例如半导体晶片(以下称为晶片)等基板，涂敷抗蚀剂液，在该晶 片的表面形成液膜，利用光掩模使该抗蚀剂膜曝光后，通过进行显影 处理获得所期望的图案。

这样的处理，通常使用将曝光装置与进行抗蚀剂液的涂敷、显影 的涂敷显影装置连接而成的抗蚀剂图案形成装置进行。在该装置中， 例如如图15所示，将收纳多个晶片的载体10搬入载体区1A的载体台 11，通过交接臂12将载体10内的晶片交接至处理区1B。然后，在处 理区1B内，在进行反射防止膜形成模块(未图示)中的反射防止膜的 形成、涂敷模块13中的抗蚀剂膜的形成后，通过接口区1C传送至曝 光装置1D。

另一方面，曝光处理后的晶片，被再次送回处理区1B，通过显影 模块14进行显影处理，然后被送回原来的载体10内。在上述反射防 止膜、抗蚀剂膜的形成处理的前后和显影处理的前后，进行晶片的加 热处理和冷却处理，这些进行加热处理的加热模块和进行冷却处理的 冷却模块等，多层地排列在搁板模块15(15a～15c)，通过设置于处理 区1B的主臂16(16A，16B)，将晶片在各模块彼此之间传送。

通常，按照处理的各批次准备载体10，从一个载体10被移出至处 理区1B的晶片，在通过该处理区1B和曝光装置1D进行规定的处理 后，被收纳于原来的载体10。此时，在上述载体台11，载置有多个例 如4个载体10，例如上述交接臂12构成为能够访问全部的载体10。 然后，将晶片移出至处理区1B后的空的载体10，在载体台11上，进 行待机直至晶片结束规定的处理，将已处理结束的晶片W送回上述载 体10内后，使收纳已处理的晶片的载体10与收纳未处理的晶片的载 体10交换。

然而，被搬入该涂敷显影装置的载体10，按照以下的方式进行晶 片的搬送，即，预先确定被搬入载体台11的顺序，根据载体10的搬 入顺序，通过交接臂12进行晶片从载体10向处理区1B的移出，利用 该处理区1B进行处理，并将处理后的晶片送回原来的载体10。

然而，对于例如评价测试用基板、研究开发用基板、试制基板等 而言，存在发生无视已确定的载体10的搬入顺序而优先进行处理的特 急批次的情况。在该情况下，将收纳有特急批次的晶片的载体(以下， 称为“特急载体”)插入上述已确定的载体10的搬入顺序中，搬入载体 台11，通过交接臂12将该特急载体的晶片优先地移出至处理区B1进 行处理。

此时，如果存在用于将该特急载体搬入载体台11的载置部，则能 够立即将该特急载体搬入该载置部，并且将该载体内的晶片移出至处 理部1B进行处理，因此不会产生问题。然而，在载体台11的载置部 被其他的载体10占有的情况下，如果不等至对这些载体10的晶片结 束所有的处理、并且将该载体10与未处理的载体10交换的时刻为止， 特急载体就不能被搬入载体台11。在这样的情况下，会存在特急载体 的晶片向处理区1B移出得较晚，以至虽然是特急载体但是等待处理开 始的待机时间却较长的问题。

专利文献1：日本特开2004-193597号公报

发明内容

本发明是为解决上述课题而完成的，目的在于提供一种基板处理 装置，涉及在发生相对其他批次而优先进行处理的特急批次的情况下， 能够缩短该特急批次的基板的等待处理开始的待机时间的技术。

因此，本发明的基板处理装置，具备载置收纳有多个基板的载体 并且按照每个载体准备的交接用载置部，对从载置于该交接用载置部 的载体通过交接机构被移出的基板进行处理后，通过上述交接机构将 该基板送回上述交接用载置部上的原来的载体，其特征在于，在该基 板处理装置中，包括：

多个退避用载置部，为了载置上述载体而与上述交接用载置部分 别设置；

搬入用载置部，为了将上述载体从外部搬入该基板处理装置而与 上述交接用载置部分别设置；

载体移载机构，在这些交接用载置部、退避用载置部、和搬入用 载置部之间进行上述载体的移载；