[发明专利]一种高反膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010115894.0 申请日: 2010-02-25
公开(公告)号: CN101806927A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 周明杰;罗英达 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: G02B1/10 分类号: G02B1/10;B32B9/04
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 郭伟刚
地址: 518052 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高反膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高反膜,其特征在于,包括与基底结合的第一高折射率层,以及 设置于所述第一高折射率层上的厚度不等的多层折射率复合层,所述折射率复 合层包括高折射率层和低折射率层,且每个折射率复合层中低折射率层位于高 折射率层下方;

其中,第二折射率复合层至第N折射率复合层从下至上依次设置在所述 第一高折射率层上,且每个折射率复合层中所述高折射率层的厚度为diHi/(4nH);所述低折射率层的厚度为diLi/(4nL);其中,

λimin+(i-1/2)(λmaxmin)/N;

nL、nH分别为低折射率层材质的折射率和高折射率层材质的折射率;

λmin和λmax分别为可见光范围的最小波长和最大波长;

N为可见光波长范围的均等份数,i=1、2、3……N;λi为将高反膜需要 反射的光线的带宽均分为N份获得的第一波长段至第N波长段中第i份 (i=1,2,3…N)波长带宽范围内的中心波长;

所述N为40,可见光带宽为λmin=380nm,λmax=780nm,则第i份(i=1,2,3… 40)的中心波长为λi=380+10(i-1/2);所述高折射率材料为Ti3O5,折射率 nH=2.2;所述低折射率材料为SiO2,折射率nL=1.47;λi的1/4各高、低折射 率层厚度为diLi/(5.88),diHi/(8.8);

基底上依次设置的各高、低折射率层厚度具体为:d1H=43.8nm;d2L=67.2 nm;d2H=44.9nm;d3L=68.9nm;d3H=46.0nm;d4L=70.6nm;d4H=47.2nm; d5L=72.3nm;d5H=48.3nm;d6L=74nm;d6H=49.4nm;d7L=75.7nm;d7H=50.6 nm;d8L=77.4nm;d8H=51.7nm;d9L=79.1nm;d9H=52.8nm;d10L=80.8nm; d10H=54nm;d11L=82.5nm;d11H=55.1nm;d12L=84.2nm;d12H=56.3nm; d13L=85.9nm;d13H=57.4nm;d14L=87.6nm;d14H=58.5nm;d15L=89.3nm; d15H=59.7nm;d16L=91.0nm;d16H=60.8nm;d17L=92.7nm;d17H=61.9nm; d18L=94.4nm;d18H=63.1nm;d19L=96.1nm;d19H=64.2nm;d20L=97.8nm; d20H=65.3nm;d21L=99.5nm;d21H=66.5nm;d22L=101.2nm;d22H=67.6nm; d23L=102.9nm;d23H=68.8nm;d24L=104.6nm;d24H=69.9nm;d25L=106.3nm; d25H=71.0nm;d26L=108.0nm;d26H=72.2nm;d27L=109.7nm;d27H=73.3nm; d28L=111.4nm;d28H=74.4nm;d29L=113.1nm;d29H=75.6nm;d30L=114.8nm; d30H=76.7nm;d31L=116.5nm;d31H=77.8nm;d32L=118.2nm;d32H=79.0nm; d33L=119.9nm;d33H=80.1nm;d34L=121.6nm;d34H=81.3nm;d35L=123.3nm; d35H=82.4nm;d36L=125.0nm;d36H=83.5nm;d37L=126.7nm;d37H=84.7nm; d38L=128.4nm;d38H=85.8nm;d39L=130.1nm;d39H=86.9nm;d40L=131.8nm; d40H=88.1nm。

2.一种高反膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、将高反膜需要反射的光线的带宽平均分为N份,其中N为不小于2 的正整数,则按照波长从小到大分别为第一波长段至第N波长段;

S2、获取所述第一波长段至第N波长段中每份波长段的中心波长;

S3、在高反膜最下方设置对应第一波长段中心波长的第一高折射率层以 与基底结合;

S4、在所述第一高折射率层上从下至上依次设置第二折射率复合层至第N 折射率复合层,其中所述第二折射率复合层至第N折射率复合层中每个都包 括该折射率复合层对应的波长段中心波长的高折射率层和低折射率层,且其中 每个折射率复合层中低折射率层设置于高折射率层下方;

且在所述步骤S4中,每个折射率复合层中所述高折射率层的厚度为diH= λi/(4nH);所述低折射率层的厚度为diLi/(4nL);其中,

λimin+(i-1/2)(λmaxmin)/N;

nL、nH分别为低折射率层材质的折射率和高折射率层材质的折射率;

λmin和λmax分别为可见光范围的最小波长和最大波长;

N为可见光波长范围的均等份数,i=1、2、3……N;λi为将高反膜需要 反射的光线的带宽均分为N份获得的第一波长段至第N波长段中第i份 (i=1,2,3…N)波长带宽范围内的中心波长;

所述N为40,可见光带宽为λmin=380nm,λmax=780nm,则第i份(i=1,2,3… 40)的中心波长为λi=380+10(i-1/2);所述高折射率材料为Ti3O5,折射率 nH=2.2;所述低折射率材料为SiO2,折射率nL=1.47;λi的1/4各高、低折射 率层厚度为diLi/(5.88),diHi/(8.8);

基底上依次设置的各高、低折射率层厚度具体为:d1H=43.8nm;d2L=67.2 nm;d2H=44.9nm;d3L=68.9nm;d3H=46.0nm;d4L=70.6nm;d4H=47.2nm; d5L=72.3nm;d5H=48.3nm;d6L=74nm;d6H=49.4nm;d7L=75.7nm;d7H=50.6 nm;d8L=77.4nm;d8H=51.7nm;d9L=79.1nm;d9H=52.8nm;d10L=80.8nm; d10H=54nm;d11L=82.5nm;d11H=55.1nm;d12L=84.2nm;d12H=56.3nm; d13L=85.9nm;d13H=57.4nm;d14L=87.6nm;d14H=58.5nm;d15L=89.3nm; d15H=59.7nm;d16L=91.0nm;d16H=60.8nm;d17L=92.7nm;d17H=61.9nm; d18L=94.4nm;d18H=63.1nm;d19L=96.1nm;d19H=64.2nm;d20L=97.8nm; d20H=65.3nm;d21L=99.5nm;d21H=66.5nm;d22L=101.2nm;d22H=67.6nm; d23L=102.9nm;d23H=68.8nm;d24L=104.6nm;d24H=69.9nm;d25L=106.3nm; d25H=71.0nm;d26L=108.0nm;d26H=72.2nm;d27L=109.7nm;d27H=73.3nm; d28L=111.4nm;d28H=74.4nm;d29L=113.1nm;d29H=75.6nm;d30L=114.8nm; d30H=76.7nm;d31L=116.5nm;d31H=77.8nm;d32L=118.2nm;d32H=79.0nm; d33L=119.9nm;d33H=80.1nm;d34L=121.6nm;d34H=81.3nm;d35L=123.3nm; d35H=82.4nm;d36L=125.0nm;d36H=83.5nm;d37L=126.7nm;d37H=84.7nm; d38L=128.4nm;d38H=85.8nm;d39L=130.1nm;d39H=86.9nm;d40L=131.8nm; d40H=88.1nm。

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