[发明专利]手性反应性介晶混合物

说明书

发明领域

本发明涉及手性反应性介晶(mesogen)(RM)混合物，由它获得的聚合物膜以及该混合物和聚合物膜在光学、电光学或电子元件或器件，在装饰应用、安全应用或化妆品应用中的用途，特别是用于宽波带反射偏光器(polarizer)。

背景和现有技术

RM和RM混合物可用于通过原位聚合的方法制备光学膜、如补偿、延迟或偏振膜，例如用作光学或电光学器件的元件如LC显示器。薄膜的光学性质可由许多不同的因素控制，如混合物配方或基材性质。

由RM制备的手性液晶(CLC)薄膜适于用作例如反射偏光器或亮度增强薄膜(BEF)。CLC薄膜的光学性质如最大反射波长和反射波长带的波带宽度能通过例如改变RM材料的双折射和/或RM材料的手性来控制。

现有技术报导了几种制备具有覆盖可见光谱的布拉格反射峰的CLC薄膜的途径。这样的薄膜通常描述为宽波带CLC薄膜。现有技术描述了两种制备宽波带CLC的基本方法，或者通过使用波带增宽技术或者通过将三种或更多种窄波带CLC组合。

如上所述，能影响CLC的波带宽度的重要材料性能是LC材料的双折射。具有较高双折射的LC材料给出了比具有低双折射的LC材料更宽的波带宽度。对于CLC，波带宽度和双折射之间的关系由公式Δλ＝Δnp给出。

例如，KR2007-069512(A)和KR2006-43863A描述了多层CLC-BEF的制备。在这些情况中，采用三个CLC薄膜来制备宽波带的CLC薄膜。JP2000-281629A，W02007/142206A1和GB 2 395 201A公开了用于宽波带CLC薄膜的高双折射RM单一化合物。

然而，在现有技术中描述的材料和薄膜显示出几个问题。例如，或者需要扩散工艺来制备薄膜，在这种情况下加工时间太长并且生产线速度太慢，或者应用多层CLC方法，其中要求多于两层，或者是公开的材料由于成本或者技术原因而被认为不适于大量生产。

因此，仍然存在对于适于制备CLC聚合物膜而不具有如现有技术中报导的缺陷的材料和方法的需求。特别是存在对于具有更宽波带宽度的CLC聚合物膜的需求，所述波带宽度比以现有技术中公开的RM材料和混合物所实现的更宽。

本发明的目的在于，提供用于制备具有所要求性质而不具有上面说明的现有技术缺陷的CLC聚合物膜的改善的RM混合物。本发明的另一个目的在于，扩展专业人员可获得的RM混合物和CLC聚合物膜的范围。其它目的由以下描述而对专业人员是立即显而易见的。

已经发现这些目的能通过提供本发明所要求保护的RM混合物和CLC聚合物膜而实现。

本发明描述了包含可以用于制备能被结合以提供宽波带CLC的薄膜的高双折射单一物质的RM混合物。此外，因为RM混合物包含高双折射组分，所以仅要求两个薄膜或者甚至仅一个薄膜来制备宽波带薄膜。此外，本发明也描述了能用于制备在可见区域具有选择性反射峰的CLC聚合物膜的RM混合物，其适于大量生产以及适于在工业标准涂布机上加工。可将RM混合物涂覆以提供可彼此结合以及和其它光学薄膜结合来生产适于LCD的亮度增强薄膜的良好配向(aligned)的光学薄膜。

发明概述

本发明涉及包含以下组分，优选基本上由以下组分组成的混合物

A)由式I的一种或多种化合物组成的组分A

其中

P是可聚合基团，

Sp是间隔基团或单键，

A^1，2彼此独立地表示1，4-亚苯基或萘-2，6-二基，其中一个或多个CH基团任选被N代替，以及其未被取代或被一个或多个基团L取代，

Z^1，2多次出现情况下彼此独立地选自-COO-、-OCO-、-O-COO-、-C≡C-或单键，

R¹表示P-Sp-、F、Cl、-CN、-NO₂、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF₅或具有1到12个C原子的直链或支链烷基，其中一个或多个CH₂基团任选被-O-、-S-、-CO-、-CS-或NR⁰以使得O与/和S原子不直接彼此相连的方式代替，以及其中一个或多个H原子任选被F或Cl代替，