[发明专利]氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010116594.4 申请日: 2010-02-26
公开(公告)号: CN102167278A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 段国韬;罗媛媛;刘广强;张洪文;蔡伟平 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B82B1/00;B81C1/00;B82B3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230031*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 氧化锌 复合 结构 阵列 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜,包括衬底上置有的有序六方排列的单层球阵列,其特征在于:

所述球阵列中的球由介质球及其外表面依次覆有的金膜和氧化锌纳米棒/锥构成,其中,介质球的外直径为1~30μm、金膜的厚度为5~50nm、氧化锌纳米棒/锥的厚度为200~800nm;

所述氧化锌纳米棒/锥的棒/锥轴线与所述球的球心相垂直,其棒/锥长为200~800nm、棒/锥直径为80~160nm、锥的锥度为3~30度。

2.根据权利要求1所述的氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜,其特征是介质球为聚苯乙烯胶体球,或二氧化硅球,或空心球。

3.一种权利要求1所述氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜的制备方法,包括将单层晶体模板置于衬底上,以及氧化锌电解液的配制,其特征在于完成步骤如下:

先将其上带有单层晶体模板的衬底置于压力为5~10Pa下离子溅射沉积金膜,得到金膜球阵列,再将其上附有金膜球阵列的衬底置于温度为60~80℃下的氧化锌电解液中,以其作为工作电极,于沉积电流密度为-0.3~-2.0mA/cm2下采用三电极法电沉积30min~4h,制得氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜。

4.根据权利要求3所述的氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜的制备方法,其特征是三电极法电沉积时的对电极为石墨电极,参比电极为饱和甘汞电极。

5.根据权利要求3所述的氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜的制备方法,其特征是单层晶体模板由聚苯乙烯胶体球构成,或由二氧化硅球构成。

6.根据权利要求3所述的氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜的制备方法,其特征是衬底为金属片,或单晶硅,或玻璃,或导电玻璃,或导电橡胶。

7.根据权利要求3所述的氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜的制备方法,其特征是氧化锌电解液为浓度为0.03~0.07M的硝酸锌溶液,或浓度为0.03~0.07M的硝酸锌/氨水水相溶液。

8.根据权利要求7所述的氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜的制备方法,其特征是硝酸锌/氨水水相溶液为向搅拌下的温度为65~75℃、浓度为0.03~0.07M的硝酸锌溶液中滴加饱和氨水,直至硝酸锌溶液变为清澈。

9.根据权利要求5所述的氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜的制备方法,其特征是将氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜置于二氯甲烷溶剂中去除聚苯乙烯胶体球,获得空心的微/纳复合结构阵列薄膜。

10.根据权利要求5所述的氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜的制备方法,其特征是将氧化锌微/纳复合结构阵列薄膜置于氢氟酸溶剂中去除二氧化硅球,获得空心的微/纳复合结构阵列薄膜。

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