[发明专利]虚拟测量先进工艺控制系统和设置方法有效
申请号: | 201010116662.7 | 申请日: | 2010-02-10 |
公开(公告)号: | CN101908495A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 蔡柏沣;曾衍迪;宋金宁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00;G01R31/26 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 虚拟 测量 先进 工艺 控制系统 设置 方法 | ||
1.一种虚拟测量先进工艺控制系统,包括:
一工艺设备,根据所接收的多个工艺输入,处理多个晶片;
一测量设备,用以测量至少一个上述晶片的一特性,并且产生一真实测量数据,其中上述晶片包括至少一个品管样品晶片;
一虚拟测量模块,用以为每一个上述晶片产生一预估测量数据;以及
一先进工艺控制器,用以接受上述预估测量数据与上述真实测量数据,并且根据上述预估测量数据与上述真实测量数据,产生上述工艺设备的上述工艺输入,其中
上述品管样品晶片的上述真实测量数据用以更新上述虚拟测量模块;
上述虚拟测量模块的多个关键变数仅在判断出上述虚拟测量模块所产生的上述预估测量数据不精确时被更新;以及
上述虚拟测量模块的多个参数根据上述品管样品晶片的上述实际测量数据而被更新,其中上述参数择自于由权重、斜率与偏差所组成的群组。
2.如权利要求1所述的虚拟测量先进工艺控制系统,还包括:
一故障检测及分类模块,用以接收并存储来自于上述工艺设备的多个工艺数据,上述工艺数据代表上述工艺设备的生产操作。
3.如权利要求2所述的虚拟测量先进工艺控制系统,其中上述故障检测及分类模块预处理已被接收的上述工艺数据,用以将上述工艺数据对时间作平均并产生多个故障检测及分类数据,而上述故障检测及分类模块提供上述故障检测及分类数据至上述虚拟测量模块,以便更新上述虚拟测量模块。
4.如权利要求1所述的虚拟测量先进工艺控制系统,还包括一测量数据调整单元,用以在由上述虚拟测量模块产生的上述预估测量数据被提供至上述先进工艺控制器之前,过滤与平滑化上述预估测量数据。
5.如权利要求4所述的虚拟测量先进工艺控制系统,其中上述测量数据调整单元使用一指数加权移动平均过滤单元过滤上述预估测量数据,上述预估测量数据使用历史上述实际测量数据与目前的上述实际测量数据。
6.如权利要求1所述的虚拟测量先进工艺控制系统,其中上述晶片包括一批次晶片,并且至少一个上述品管样品晶片包括两个品管样品晶片。
7.一种虚拟测量先进工艺控制平台的设置方法,适用于多个工艺,上述方法包括:
根据来自于一先进工艺控制器的多个工艺输入,处理具有上述工艺之一的一晶片批次;
测量上述晶片批次的至少一个的一特性,并且产生一真实测量数据,上述至少一个晶片批次包括一品管样品晶片;
仅于上述虚拟测量模型被判断为不精确时,测试一虚拟测量模型的一精确性;
使用上述真实测量数据,为目前的上述晶片批次的上述品管样品晶片更新上述虚拟测量模块的多个参数,并且为先前的上述晶片批次的多个品管样品晶片更新历史测量数据,其中上述参数择自于由权重、斜率与偏差所组成的群组;以及
自上述虚拟测量模块,提供上述晶片的上述真实测量数据至上述先进工艺控制模块而致能上述先进工艺控制模块,为了下一批次的晶片批次的工艺处理调整上述工艺输入。
8.如权利要求7所述的虚拟测量先进工艺控制平台的设置方法,还包括在由上述虚拟测量模块产生的上述预估测量数据被提供至上述先进工艺控制器之前,过滤与平滑化上述预估测量数据。
9.如权利要求8所述的虚拟测量先进工艺控制平台的设置方法,其中上述过滤与平滑化上述预估测量数据的步骤包括将一指数加权移动平均过滤单元用于过滤上述预估测量数据,上述预估测量数据使用历史上述实际测量数据与目前的上述实际测量数据。
10.如权利要求7所述的虚拟测量先进工艺控制平台的设置方法,其中上述晶片批次之前一个的上述品管样品晶片包括上述品管样品晶片的最近X个,而X为大于或等于二十的正整数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010116662.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造