[发明专利]用于接纳至少一个元件的衬底以及制造衬底的方法

权利要求书

1.用于接纳至少一个元件(3)的衬底，所述元件特别是指功率半导体，在所述衬底中，由电绝缘材料制成的衬底主体(1)在至少一个前侧和/或在相对置的背侧上设有导电层(2)，

其特征在于，

所述衬底主体(1)具有由陶瓷前驱体聚合物形成的热固性基质。

2.根据权利要求1所述的衬底，其中，利用填料以高达95体积％的填充度对所述陶瓷前驱体聚合物进行填充。

3.根据前述权利要求之一所述的衬底，其中，所述填料是由陶瓷材料形成的、具有处于0.5μm至500μm范围内的平均颗粒尺寸的粉末。

4.根据前述权利要求之一所述的衬底，其中，在室温下，所述陶瓷材料的热导率λ大于10W/mK，优选大于20W/mK。

5.根据前述权利要求之一所述的衬底，其中，所述陶瓷材料选自如下的组：BN、SiC、Si₃N₄、AlN、滑石、堇青石。

6.根据前述权利要求之一所述的衬底，其中，所述陶瓷前驱体聚合物选自如下的组：聚硅氧烷、聚硅氮烷、聚碳硅烷。

7.根据前述权利要求之一所述的衬底，其中，所述导电层(2)由金属或半导体制成，所述金属优选是铝或铜。

8.根据前述权利要求之一所述的衬底，其中，所述导电层(2)以预定导体线路结构的形式存在。

9.用于制造衬底的方法，所述衬底用于接纳至少一个元件(3)，所述至少一个元件(3)特别是指功率半导体，在所述方法中，将在应用陶瓷前驱体聚合物的情况下制成的衬底主体(1)与由导电材料形成的层(2)相结合。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，为了制造所述衬底主体(1)，在所述层(2)的至少一侧上涂覆有所述陶瓷前驱体聚合物并且然后所述陶瓷前驱体聚合物转变为热固性形式，从而构成了与所述层(2)牢固地结合的衬底。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，呈热固性形式存在的衬底主体(1)在应用另外的陶瓷前驱体聚合物的情况下，与由所述导电材料形成的所述层(2)相结合，并且其中，所述另外的陶瓷前驱体聚合物转变为热固性形式，从而构成了与所述层(2)牢固地结合的衬底。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述导电层(2)在与所述衬底主体(1)相结合之前以预定导体线路结构的形式存在。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述导体线路结构借助冲压来制造。

14.根据权利要求9至12之一所述的方法，其中，借助对所述层(2)进行掩蔽及随后的蚀刻来制造预定导体线路结构。

15.根据权利要求9至14之一所述的方法，其中，将所述陶瓷前驱体聚合物或所述另外的陶瓷前驱体聚合物为了转变为热固性形式而加热到处于100℃至300℃范围内的温度，优选为150℃至250℃，保温时间为15分钟至300分钟，优选为30分钟至60分钟。

16.根据权利要求10至15之一所述的方法，其中，利用填料以高达95体积％的填充度对所述陶瓷前驱体聚合物进行填充。

17.根据权利要求10至16之一所述的方法，其中，所述填料是由陶瓷材料形成的、具有处于0.5μm至-500μm范围内的平均颗粒尺寸的粉末。

18.根据权利要求9至17之一所述的方法，其中，在室温下，所述陶瓷材料的热导率λ大于10W/mK，优选大于20W/mK。

19.根据权利要求9至18之一所述的方法，其中，所述陶瓷材料选自如下的组：BN、SiC、Si₃N₄、AlN、滑石、堇青石。

20.根据权利要求9至19之一所述的方法，其中，所述陶瓷前驱体聚合物和/或所述另外的陶瓷前驱体聚合物选自如下的组：聚硅氧烷、聚硅氮烷、聚碳硅烷。

21.根据权利要求9至20之一所述的方法，其中，所述导电层(2)由金属制成或由半导体制成，所述金属优选为铝或铜。