[发明专利]存储器电路及其系统以及存取该存储器电路的方法有效

专利信息
申请号: 201010116671.6 申请日: 2010-02-10
公开(公告)号: CN101800074A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 许国原;丁泰衡;柳笃贤;金英奭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401;G11C11/406;G11C11/4094
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;邢雪红
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 电路 及其 系统 以及 存取 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器电路,包括:

至少一存储器单元,用以存储代表一数据的一电荷,该存储器单元与 一字线以及一位线对中的一第一位线耦合;

至少一位线平衡晶体管,耦接于该位线对的该第一位线与一第二位线 之间;以及

一位线平衡电路,与所述至少一位线平衡晶体管的栅极耦接,该位线 平衡电路用以在该存储器单元的一存取周期前的一待命期间,提供一位线 平衡电压至所述至少一位线平衡晶体管;以及,在所述待命期间检测到一 启动信号后还提供一脉冲至所述至少一位线平衡晶体管,以平衡该第一位 线及该第二位线的电压,其中,该位线平衡电源电压为第一电源电压VDD。

2.如权利要求1所述的存储器电路,其中该脉冲的一电压对应至存在 于该第一位线及该第二位线之间的一电压差。

3.如权利要求2所述的存储器电路,其中该脉冲的该电压为0.1V至 0.7V。

4.如权利要求1所述的存储器电路,其中,该位线平衡电路用以将该脉 冲自该第一电源电压VDD提升至一第二电源电压VPP。

5.如权利要求4所述的存储器电路,其中,该启动信号为第一阵列启动 信号,该位线平衡电路还用以:

在该存储器单元的该存取周期的一预充电周期提供该第二电源电压 VPP;以及

将该第二电源电源VPP拉下至一电压态,其中:

若在该预充电周期或在该预充电周期的一预定周期后检测到第二阵 列启动信号,则该电压态低于该第一电源电压VDD,以及

若在该预充电周期或在该预充电周期的一预定周期后未检测到第二阵 列启动信号,则该电压态大致等于该第一电源电压VDD。

6.如权利要求5所述的存储器电路,其中该预定周期为3毫微秒。

7.如权利要求1所述的存储器电路,其中该脉冲具有200至500

微微秒的一期间。

8.如权利要求1所述的存储器电路,其中该位线平 衡电路包括:

一第一转换检测器,用以检测一启动信号中的一第一转换;

一第二转换检测器,用以检测该启动信号中的一第二差动转换;

一第一逻辑门,与该第一及第二转换检测器的输出端耦接;

一第一延迟电路,用以响应该启动信号的该第一转换

一第二延迟电路,用以响应该启动信号的该第二转换;

一第一反相器,与该第一延迟电路的输出端耦接;

一第二逻辑门,与该第一逻辑门、该第一反相器、以及该第二延迟电 路耦接;

一第二反相器,与该第一反相器的输出端耦接;

至少一电平位移器电路,与该第二逻辑门、该第二反相器、及该第二 延迟电路耦接;以及

一第一型的一第一晶体管,该第一晶体管具有与该电平位移器电路的 第一输出端耦接的一栅极,其中该第一晶体管用以接收一第二电源电压 VPP;

一第二型的一第二晶体管,与该第二晶体管具有与该电平位移器电路 的一第二输出端耦接的一栅极,其中该第二晶体管耦接至该第一晶体管; 以及

该第一型的一第三晶体管,该第三晶体管具有与该电平位移器电路的 一第三输出端耦接的一栅极,其中该第三晶体管用以接收一第一电源电压 VDD。

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