[发明专利]一种Al2O3-Ni-C-B4C复相陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 201010116915.0 | 申请日: | 2010-03-02 |
公开(公告)号: | CN101798222A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 高远飞;黄宏;徐友果;黄朝晖;房明浩;刘艳改 | 申请(专利权)人: | 中国地质大学(北京) |
主分类号: | C04B35/563 | 分类号: | C04B35/563;C04B35/622;C22C29/02 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 al sub ni 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
技术领域:
本发明涉及一种Al2O3-Ni-C-B4C复相陶瓷及其制备方法,属于超硬防护结构陶瓷材料的制备技术领域。
背景技术:
碳化硼最重要的性能在于其超常的硬度(莫氏硬度为9.3,显微硬度为55~67Gpa),其硬度仅次于金刚石和立方氮化硼,尤其是其近于恒定的高温强度,使之成为理想的高温耐磨材料;碳化硼密度很小(理论密度为2.52×103kg/m3),是陶瓷材料中较轻的。因此碳化硼陶瓷是耐磨制品以及防弹材料等领域重点开发的内容。
目前制备碳化硼陶瓷材料常用的方法为:热压烧结和无压烧结。热压烧结方法是制造高致密度碳化硼陶瓷的主要方法,但由于碳化硼本身晶界扩散较慢和比表面积较小,热压法生产的制品仍具有烧结温度高的缺点,热压法成本较高,另外采用热压烧结的方法不便于加工形状复杂的构件。无压烧结的碳化硼陶瓷制品的致密度低,且烧结温度较热压烧结更高(2200~2350℃)。研究表明,在碳化硼中添加第二相可以形成液相降低烧结温度,提高硬度和抑制晶粒长大,常见的添加助剂有金属铝、硼化钛以及碳化硅等,但目前碳化硼陶瓷的烧结温度过高的问题仍未得到很好的解决。因此开发一种较低生产成本并兼顾低密度和高硬度的B4C基复合陶瓷的制造技术,具有重要的应用价值和技术创新意义。
发明内容:
本发明的目的是针对B4C本身晶界扩散很慢而造成无压常规烧结温度过高的问题,提出以金属Ni和C作为烧结助剂,并依靠添加的Al2O3生成的新液相AlB12C2等方式达到在较低烧结温度下无压烧结制备B4C基复合陶瓷的目的,此外,该无压烧结在埋碳的还原性气氛中进行。这种制备B4C基复合陶瓷的新方法具有生产成本低、密度低和硬度高等诸多优点。
本发明提出的一种Al2O3-Ni-C-B4C复相陶瓷及其制备方法,其特征在于所述Al2O3-Ni-C-B4C复相陶瓷是以α-Al2O3粉、B4C粉体、金属Ni粉和碳源(炭黑、石墨、焦炭粉或酚醛树脂)为主要原料,以聚乙烯醇等为结合剂,将各原料按一定比例混合后再经过成型、干燥、烧成等工艺过程制备出Al2O3-Ni-C-B4C复相陶瓷。本发明所述的α-Al2O3粉、B4C粉体、金属Ni粉和碳源(炭黑、石墨、焦炭粉或酚醛树脂)等原料均为市售工业原料,所述α-Al2O3粉体的质量要求为α-Al2O3的纯度大于95wt.%,粉料粒径为d50<10μm,其加入量为总配料质量的0.1~30.0wt.%;所述B4C粉体的纯度大于91wt.%,粉料粒径d50<5μm,其加入量为5.0~99.9wt.%;所述金属Ni粉的纯度大于92wt.%,粉料粒径为d50<50μm,其加入量为0.1~15.0wt.%;所述碳源可以是炭黑、石墨、焦炭等含碳材料或酚醛树脂等高温条件下可以发生碳化反应的原料,其质量要求为碳含量(或碳化反应后产物中碳的含量)的百分比大于95wt.%,灰分不大于8%,挥发分不大于7%,硫含量小于2%,水分不大于5%,粉料粒径为d50<50μm,其用法可以是分别单独加入,也可以是它们的混合物加入,若混合加入,其混合比例没有特殊要求,总加入量为0.1~10.0wt.%。本发明所述Al2O3-Ni-C-B4C复相陶瓷采用的结合剂可以为聚乙烯醇、树脂、沥青或焦油等,均为市售工业原料,其用法可以是分别单独加入或者是它们的混合物加入,各结合剂之间的混合比例没有特殊要求,其加入后残炭量为0.1~10.0wt%。
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