[发明专利]导电/超导材料的制造方法和由该方法制造的导电/超导材料

权利要求书

1.制造导电/超导晶体材料的方法，其特征在于包括，

在所述导电/超导晶体材料中加入受主掺杂物，使所形成的受主掺杂能带的底部与所述导电/超导晶体材料的满带顶部的距离等于或略小于hω_M/(2π)，其中ω_M是该导电/超导晶体材料中的光学波的最大频率，h是普朗克常数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述受主掺杂能带中的最低能级E_i1与所述导电/超导晶体材料的所述满带中的最高能级E_smax的间距略小于hω_M/(2π)，即E_i1-E_smax＝hω_M/(2π)-Δ且Δ＞0。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述在所述Δ所对应的能级范围内有多个受主掺杂能级。

4.制造导电/超导晶体材料的方法，其特征在于包括，

在所述导电/超导晶体材料中加入施主掺杂物，使所形成的施主掺杂能带的顶部与所述导电/超导晶体材料的导带底部的距离等于或略小于hω_M/(2π)，其中ω_M是该导电/超导晶体材料中的光学波的最大频率，h是普朗克常数。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于在所述施主掺杂能带与所述满带之间设置有深能级体系，以使所述满带中的电子能够通过该深能级体系和所述晶体材料中的受激跃迁，而跃迁到所述施主能带中，其中所述受激跃迁是由于所述晶体材料沿与所述最大频率ω_M相关晶向的离子链的振动而形成的时变电磁场所激发的。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述深能级体系是导电/超导晶体材料中固有的和/或通过掺杂而设置的。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述施主掺杂能带的最高能级E_i1与所述导电/超导晶体材料的所述到带的最低能级E_smin的距离略小于hω_M/(2π)，即E_smin-E_i1＝hω_M/(2π)-Δ且Δ＞0。

根据一个进一步具体的实施方式，上述Δ所对应的能级范围内有多个施主掺杂能级。

8.导电/超导材料，其特征在于该导电/超导材料是用根据权利要求1-7中的任何一项所述的方法制成。