[发明专利]薄膜晶体管显示面板有效
申请号: | 201010116952.1 | 申请日: | 2010-02-21 |
公开(公告)号: | CN101833205A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
发明(设计)人: | 金东奎;姜现皓 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 显示 面板 | ||
1.一种薄膜晶体管显示面板,包括:
绝缘基板;
栅极线,形成在所述绝缘基板上,且延伸在第一方向上;
第一数据线和第二数据线,与所述第一栅极线交叉,且并排分别延伸在第二方向上;
第一开关元件,电连接到所述栅极线和所述第一数据线;
第二开关元件,电连接到所述栅极线和所述第二数据线;
第一像素电极,连接到所述第一开关元件,且与前一栅极线至少部分重叠;
第二像素电极,连接到所述第二开关元件,且与所述第一像素电极并排布置;以及
存储线,通过与所述栅极线并排形成且形成在所述第一像素电极和所述第二像素电极的两侧,而与所述第一像素电极和所述第二像素电极至少部分重叠。
2.如权利要求1所述的面板,其中所述第一像素电极的所述第二方向的宽度大于所述第二像素电极的所述第二方向的宽度。
3.如权利要求1所述的面板,其中所述第一开关元件包括连接到所述栅极线的栅极电极、连接到所述第一数据线的源极电极和连接到所述第一像素电极的漏极电极而形成三端子薄膜晶体管,其中所述漏极电极与所述第二像素电极至少部分重叠。
4.如权利要求3所述的面板,其中所述第一像素电极的面积与所述第二像素电极的面积基本相同。
5.如权利要求1所述的面板,其中所述第一像素电极与所述存储线和所述前一栅极线之间的电容基本等于所述第二像素电极与所述存储线之间的电容。
6.如权利要求1所述的面板,还包括从所述存储线朝着所述第二像素电极延伸的存储延伸电极。
7.如权利要求6所述的面板,其中所述第一像素电极还包括其中布置所述第一开关元件和所述第二开关元件的缩进部分,并且所述存储延伸电极形成在对应于所述缩进部分的位置处。
8.一种薄膜晶体管显示面板,包括:
绝缘膜;
第一栅极线和第二栅极线,并排形成在第一方向上且被施加相同的栅极信号;
第一数据线和第二数据线,与所述第一栅极线和所述第二栅极线交叉,且并排延伸在第二方向上;
第一开关元件,电连接到所述第一栅极线和所述第一数据线;
第二开关元件,电连接到所述第二栅极线和所述第二数据线;
第一像素电极,连接到所述第一开关元件,且与前一第一栅极线至少部分重叠;
第二像素电极,连接到所述第二开关元件,且与前一第二栅极线至少部分重叠;以及
存储线,与所述第一栅极线和所述第二栅极线并排形成,且形成在所述第一像素电极和所述第二像素电极的两侧,并与所述第一像素电极和所述第二像素电极至少部分重叠。
9.如权利要求8所述的面板,其中所述存储线还包括沿着所述第一数据线和所述第二数据线并排延伸的第一存储电极和第二存储电极,并且分别与所述第一像素电极和所述第二像素电极重叠,且所述第一存储电极的宽度与所述第二存储电极的宽度不同。
10.如权利要求8所述的面板,其中所述第一开关元件包括薄膜晶体管,该薄膜晶体管采用连接到所述第一栅极线的栅极电极、连接到所述第一数据线的源极电极和连接到所述第一像素电极的漏极电极作为三个端子,并且所述漏极电极与所述第二像素电极至少部分重叠。
11.如权利要求10所述的面板,还包括从所述第一栅极线凸起且与所述漏极电极重叠的凸起电极。
12.如权利要求11所述的面板,其中所述凸起电极的凸起量与所述第一栅极线的宽度相同。
13.如权利要求8所述的面板,其中所述存储线和所述第一像素电极的分别布置在所述第一像素电极两侧的重叠区域在两侧不同。
14.如权利要求8所述的面板,其中所述存储线和所述第二像素电极的分别布置在所述第二像素电极两侧的重叠区域在两侧不同。
15.如权利要求8所述的面板,其中所述第一像素电极与分别布置在所述第一像素电极两侧的所述存储线的重叠区域的大小基本等于所述第二像素电极与分别布置在所述第二像素电极两侧的所述存储线的重叠区域的大小。
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