[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：

半导体基板；

金属配线，其配置在半导体元件上，该半导体元件设置在所述半导 体基板上；

保护膜，其形成在所述金属配线上，保护所述金属配线；

应力缓冲层，其形成在所述保护膜上；

导通孔，其贯通所述保护膜和所述应力缓冲层而设置在所述金属配 线上；

底层金属膜，其形成在所述导通孔的内表面、所述金属配线的表面 以及所述应力缓冲层的表面上；

导电层，其以填塞所述导通孔的方式形成；以及

凸块电极，其形成在所述导电层上，

俯看，所述导通孔位于所述凸块电极的下方，且形成在周边区域中，

所述应力缓冲层是由陶瓷膜和机械刚性比所述陶瓷膜小的材料这两 层构成的。

2.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有：

半导体基板；

第一金属配线，其配置在半导体元件上，该半导体元件设置在所述 半导体基板上；

第二金属配线，其隔着绝缘膜配置在所述第一金属配线上；

保护膜，其形成在所述第二金属配线上，保护所述金属配线；

应力缓冲层，其形成在所述保护膜上；

导通孔，其贯通所述保护膜和所述应力缓冲层而配置在所述第二金 属配线上；

底层金属膜，其形成在所述导通孔的内表面、所述第二金属配线的 表面以及所述应力缓冲层的表面上；

导电层，其以填塞所述导通孔的方式形成；

凸块电极，其形成在所述导电层上；以及

由所述第一金属配线形成在所述半导体元件上的输入输出用金属端 子，

所述第二金属配线是经由设置在所述金属端子上的通孔将形成在所 述凸块电极和所述导通孔内的所述导电层与所述金属端子连接的再配 线，

俯视，所述导通孔位于所述凸块电极的下方，且形成在周边区域中，

所述应力缓冲层是由陶瓷膜和机械刚性比所述陶瓷膜小的材料这两 层构成的。