[发明专利]一种背表面电介质钝化的太阳电池及其制备方法无效
申请号: | 201010117555.6 | 申请日: | 2010-03-03 |
公开(公告)号: | CN101794833A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 周春兰;王文静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/18 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100080 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 电介质 钝化 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种背表面电介质钝化的太阳电池,其特征是:所述太阳电池从太阳光照射面,即前表面起向下排列顺序依次为:减反射层(1)、前电极(2)、n+发射极(3)、P型硅区域(4);太阳电池的非太阳光入射面,即背表面,在P型硅区域4的下面依次为局域背电场P+(5)、金属Al电极(6)、电介质钝化膜Al2O3(7);所述背电场P+(5)为局域分布(因此称为局域背电场),所述的背表面的金属Al电极(6)通过局域背电场P+(5)与硅接触。
2.制备权利要求1所述的背表面电介质钝化的太阳电池的方法,将用于制作太阳电池的P型硅衬底经过制绒,单面扩散,等离子体刻蚀去边,清洗,前表面沉积减反射层,丝网印刷,然后烧结,其特征是:在硅衬底前表面沉积减反射层之后,在硅衬底的背表面沉积电介质Al2O3钝化膜(7),再激光烧蚀硅衬底的背表面电介质Al2O3钝化膜(7),形成背表面的金属Al电极(6),然后丝印前后电极,最后烧结成为太阳能电池。
3.按照权利要求2所述的制备方法,其特征是,所述的在硅衬底的背表面沉积电介质Al2O3钝化膜(7)的具体工艺步骤如下:
1)将100g异丙醇铝(质量浓度98%)溶解在沸腾的稀释的硝酸溶液中,并且一直搅拌;所述的稀释的硝酸溶液中,水与硝酸的体积比为450∶1;
2)在搅拌的过程中,往步骤1)配制的溶液中加入HNO3,使溶液的PH值保持在4.5;
3)将步骤2)制得的溶液冷却到室温之后,便获得透明的Al2O3凝胶;
4)将所述的Al2O3凝胶按照凝胶∶H2O=1∶1(体积比)的比例混合,成为旋涂液;
5)将所述的旋涂溶胶液体:首先在2000转/分的低转速下将步骤4)所得的旋涂液涂覆在硅衬底的背表面上,时间维持10s,然后在3500转/分的速度下旋转20s;
6)将步骤5)的制备产物在100-150℃温度下烘烤,烘烤时间不超过1分钟;
7)在350-650℃温度范围下,在氧气氛下进行退火,退火时间在一小时以内,氧流量为1L/min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所,未经中国科学院电工研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010117555.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:柔性CdTe薄膜太阳能电池制备方法
- 下一篇:纸带折边机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的