[发明专利]一种背表面电介质钝化的太阳电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010117555.6 申请日: 2010-03-03
公开(公告)号: CN101794833A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 周春兰;王文静 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01L31/052 分类号: H01L31/052;H01L31/18
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100080 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 表面 电介质 钝化 太阳电池 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种背表面电介质钝化的太阳电池,其特征是:所述太阳电池从太阳光照射面,即前表面起向下排列顺序依次为:减反射层(1)、前电极(2)、n+发射极(3)、P型硅区域(4);太阳电池的非太阳光入射面,即背表面,在P型硅区域4的下面依次为局域背电场P+(5)、金属Al电极(6)、电介质钝化膜Al2O3(7);所述背电场P+(5)为局域分布(因此称为局域背电场),所述的背表面的金属Al电极(6)通过局域背电场P+(5)与硅接触。

2.制备权利要求1所述的背表面电介质钝化的太阳电池的方法,将用于制作太阳电池的P型硅衬底经过制绒,单面扩散,等离子体刻蚀去边,清洗,前表面沉积减反射层,丝网印刷,然后烧结,其特征是:在硅衬底前表面沉积减反射层之后,在硅衬底的背表面沉积电介质Al2O3钝化膜(7),再激光烧蚀硅衬底的背表面电介质Al2O3钝化膜(7),形成背表面的金属Al电极(6),然后丝印前后电极,最后烧结成为太阳能电池。

3.按照权利要求2所述的制备方法,其特征是,所述的在硅衬底的背表面沉积电介质Al2O3钝化膜(7)的具体工艺步骤如下:

1)将100g异丙醇铝(质量浓度98%)溶解在沸腾的稀释的硝酸溶液中,并且一直搅拌;所述的稀释的硝酸溶液中,水与硝酸的体积比为450∶1;

2)在搅拌的过程中,往步骤1)配制的溶液中加入HNO3,使溶液的PH值保持在4.5;

3)将步骤2)制得的溶液冷却到室温之后,便获得透明的Al2O3凝胶;

4)将所述的Al2O3凝胶按照凝胶∶H2O=1∶1(体积比)的比例混合,成为旋涂液;

5)将所述的旋涂溶胶液体:首先在2000转/分的低转速下将步骤4)所得的旋涂液涂覆在硅衬底的背表面上,时间维持10s,然后在3500转/分的速度下旋转20s;

6)将步骤5)的制备产物在100-150℃温度下烘烤,烘烤时间不超过1分钟;

7)在350-650℃温度范围下,在氧气氛下进行退火,退火时间在一小时以内,氧流量为1L/min。

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