[发明专利]气相法制备II-VI族水溶性硒化物半导体量子点的方法无效
| 申请号： | 201010117593.1 | 申请日： | 2010-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101798511A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 沈悦;仇恒抗;张建成 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C09K11/89 | 分类号： | C09K11/89;C09K11/88 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 法制 ii vi 水溶性 硒化物 半导体 量子 方法 | ||
1.一种气相法制备II-VI族水溶性硒化物半导体量子点的方法，其特征在于该方法以硒化氢气体为硒源，具体步骤如下：
a.将可溶性镉盐、可溶性锌盐或可溶性汞盐溶于水，配制成浓度为0.1～1mol/L的溶液；再加入稳定剂，其中可溶性盐与稳定剂的摩尔比为1∶(2～3)；调节PH值9～10，称为溶液A；所述的稳定剂为巯基酸、巯基醇、巯醇胺或巯基氨；
b.在惰性气氛下，将硒化氢气体通入步骤a所得溶液A中，在40～100℃下，反应至溶液A由无色透明变成浅黄色透明，此溶液即为前躯体溶液；
c.将步骤b所得前躯体溶液回流至溶液颜色逐渐变化直至红色，得到II-VI族水溶性硒化物半导体量子点。
2.根据权利要求1所述的气相法制备II-VI族水溶性硒化物半导体量子点的方法，其特征在于所述可溶性镉盐有Cd(Ac)2、CdCl2、CdSO4、Cd(NO3)2或高氯酸镉；所述可溶性锌盐有Zn(Ac)2、ZnCl2、ZnSO4、Zn(NO3)2或环烷酸锌盐；所述的可溶性汞盐为：HgSO4。
3.根据权利要求1所述的气相法制备II-VI族水溶性硒化物半导体量子点的方法，其特征在于所述的巯基酸为巯基乙酸、巯基丙酸、巯基异丁酸、二巯基琥珀酸、季戊四醇四-3-巯基丙酸酯或巯基丙烷磺酸；所述的巯基醇为巯基乙醇、二巯基丙醇、3-巯基-2-丁醇或11-巯基-1-十一醇；所述的巯醇胺为巯基乙胺或巯乙酰胺；所述的巯基氨为半胱氨酸或巯基丙氨酸。
4.根据权利要求1所述的气相法制备II-VI族水溶性硒化物半导体量子点的方法，其特征在于所制备的II-VI族水溶性硒化物半导体量子点粒径为1.8～7.5nm。
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