[发明专利]具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法

权利要求书

1.一种具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法，其特征在于，包 括以下步骤：

a)提供蓝宝石基板；

b)在蓝宝石基板上制造多个凹部，其深度为p；

c)形成具有多个凸部的缓冲层，凸部的深度q小于p，以致当缓冲层的凸部 容纳于蓝宝石基板的凹部时，在其间形成多个间隙，以利排热；

d)在缓冲层上生长多个发光层，具有形成于多个发光层和缓冲层间的介质 层；

e)蚀刻穿透多个发光层和缓冲层来形成通道，以利排热；

f)通过准分子激光剥离来移除蓝宝石基板；

g)粗化介质层；以及

h)在粗化的介质层上沉积电极。

2.根据权利要求1的具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法，其特 征在于，所述凹部通过光蚀刻工艺、湿蚀刻工艺、或干蚀刻工艺所形成。

3.根据权利要求1的具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法，其特 征在于，所述缓冲层的形状取决于其生长压力、生长时间、和生长温度的参数， 并通过金属有机化学气相沉积法来沉积。

4.根据权利要求1的具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法，其特 征在于，所述凹部在蓝宝石基板上形成条状或点状图案。

5.根据权利要求1的具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法，其特 征在于，所述凹部的深度p大于1μm，凸面形成于蓝宝石基板上任两相邻的凹 部间，其剖面形状为底角大于60°的等腰梯形，任两相邻的凸面距离小于1μm。

6.根据权利要求1的具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法，其特 征在于，所述缓冲层由使用于蓝光LED的未掺杂氮化镓或使用于紫光LED的氮化 铝所制成。

7.一种具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法，其特征在于，包 括以下步骤：

a)提供蓝宝石基板；

b)在蓝宝石基板上制造多个凹部，其宽度为m；

c)形成具有多个凸部的缓冲层，凸部的宽度n小于m，以致当缓冲层的凸部 容纳于蓝宝石基板的凹部时，在其间形成多个间隙，以利排热；

d)在缓冲层上生长多个发光层，具有形成于多个发光层和缓冲层间的介质 层；

e)蚀刻穿透多个发光层和缓冲层来形成通道，以利排热；

f)通过准分子激光剥离来移除蓝宝石基板；

g)粗化介质层；以及

h)在粗化的介质层上沉积电极。

8.根据权利要求7的具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法，其特 征在于，所述凹部通过光蚀刻工艺、湿蚀刻工艺、或干蚀刻工艺所形成。

9.根据权利要求7的具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法，其特 征在于，所述缓冲层的形状取决于其生长压力、生长时间、和生长温度的参数。

10.根据权利要求7的具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法， 其特征在于，所述凹部在蓝宝石基板上形成条状或点状图案。

11.根据权利要求7的具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法， 其特征在于，所述缓冲层由使用于蓝光LED的未掺杂氮化镓或使用于紫光LED的 氮化铝所制成。

12.根据权利要求7的具有排热结构的垂直结构发光二极管的形成方法， 其特征在于，缓冲层是通过金属有机化学气相沉积法来沉积。